国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121924785A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；沟道层，位于衬底上；势垒层，位于沟道层远离衬底的一侧；钝化层，位于势垒层远离衬底的一侧；接触沟槽，贯穿钝化层以及势垒层，并从钝化层向衬底方向至少延伸至沟道层内；欧姆接触电极，位于接触沟槽，欧姆接触电极为源极电极或漏极电极，其中，欧姆接触电极包括在远离衬底方向上排列的钛层、第一氮化钛层、掺杂硅的铝层，在接触沟槽内，掺杂硅的铝层的至少部分外周由第一氮化钛层包裹。根据本申请实施例的半导体器件，能够降低欧姆接触电极的接触电阻。

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作者：情报员