一边是韩国教授信誓旦旦地断言"不可能",另一边是ASML自己的掌门人却在担心"中国迟早会搞出来"——关于中国能不能造出EUV光刻机这件事,连唱衰的人和被"保护"的人之间都没达成共识。而中国自己,可能压根就没打算按他们预想的剧本走。
2026年4月中旬,韩国媒体援引韩国汉阳大学材料科学教授安振浩的观点,认为10年内开发出能够大规模生产芯片的EUV光刻机是不太可能的。《韩国先驱报》以此为基础做了一篇专题评论,结论很直白:中国在这十年搞不定。
这个判断传开之后,反应最大的倒不是中国企业,而是ASML。ASML的CEO傅恪礼近期就表示:把中国逼急了,等它搞出自己的东西,搞不好以后是中国反过来卖给我们。
一个在唱衰,一个在焦虑,这两种态度同时出现在2026年4月,本身就很有意思。理解这种矛盾,得先看数据。
ASML一季度财报显示,中国大陆市场系统销售额占比从上季度的36%骤降至19%。尽管ASML上调了全年营收指引、业绩也超出预期,但股价反而跌了6%,因为市场看到了出口管制收紧对中国业务的直接冲击。
更扎眼的是,存储芯片客户成了ASML最大的收入来源,占到系统销售额的51%——韩国三星和SK海力士的采购力度上来了,韩国一跃成为ASML第一大市场。换个角度想:韩国教授说中国十年内造不出EUV,韩国企业却正在狂买ASML的设备。
谁在下注未来,谁在口头预测,一目了然。这事背后的推手,是美国国会刚刚推出的MATCH法案。
这份法案于2026年4月2日由美国两党议员联合提出,被称为"史上最严对华芯片管控法案"。它不仅延续了对EUV的禁令,还把所有DUV浸没式光刻机纳入管制范围,连先进刻蚀设备和原子层沉积设备都没放过。
法案直接点名了华为、中芯国际、长江存储、长鑫存储、华虹半导体五家企业作为"受管制设施"。最狠的一招不是禁售,而是连已售设备的维修、保养、零部件供应都全面禁止。
光刻机每年平均需要更新保养4到5次,不然良率和产能都会出现下滑。这等于说,以后旧设备坏了也没人修。
4月22日,美国众议院外交事务委员会已经通过了这份法案,进入全院审议阶段。中国商务部4月25日回应称,中方一贯反对泛化国家安全、滥用出口管制的行为,将坚决采取必要措施维护中国企业合法权益。
不过,法案一出台,美国产业界自己先炸了锅,批评其范围过广,甚至将其形容为"失控的列车"。于是在4月16日,法案进行了修订,删除了部分争议性条款,设备维修服务改为许可证制度而非一刀切禁止。
连内部都谈不拢,法案最终会以什么面目落地,现在还有变数。但不管MATCH法案走到哪一步,一个事实已经很清楚:围绕光刻机的封锁会越来越紧。
这恰恰是韩国教授做出"十年"判断的底层逻辑——不是说中国人笨,而是赌在层层加码的封锁下,供应链断裂的速度快过技术追赶的速度。这判断有没有道理?
全世界没有任何一个国家能独立造出这东西。ASML与其说是一家公司,不如说是一个"多国联军"的集成平台。但中国这边也不是原地踏步。
2026年3月上海微电子在第33届国际半导体展览会上,首次允许观众近距离拍摄其28nm浸没式DUV光刻机。
产业链消息证实,SMEE的SSA800系列良率已从90%跃升至95%。该系列光刻机核心部件国产化率突破90%,2026年计划年产50台。
28nm制程看上去跟EUV差了好几代,但别忘了,全球超过七成的芯片需求集中在成熟制程——汽车电子、家电、工业控制用的都是这个档次的芯片。把自己能做的先做到极致,这是现实主义的选择。
而且通过多重曝光工艺,DUV设备也能间接做出更先进制程的芯片,中芯国际用这套方案已经在7nm级别出过货了。真正让外界眼前一亮的,是另外几条完全不同的技术路线。
纳米压印光刻是其中一条。2025年8月,国内企业璞璘科技的首台PL-SR系列纳米压印设备正式交付客户产线使用,线宽小于10nm,超过了日本佳能同类产品14nm的水平。
这不是实验室里的样品,是能上生产线跑的真机器。不过它的短板也很明显:速度偏慢,适合存储芯片这类对精度要求相对宽容的场景,拿来做复杂逻辑芯片还差火候。
电子束光刻是另一条路。浙江大学团队推出了代号"羲之"的国产商业电子束光刻机,精度0.6纳米,线宽8纳米。
精度没得说,但它是一笔一划地"写",量产效率上不去,更适合用于研发和小批量特殊芯片。然后就是最有想象力、也最具争议的一条路——"光刻工厂"。
这个方案的思路跟ASML完全不同。打个比方:ASML是给每家每户装一个小锅炉烧热水,而SSMB是建一座集中供热站,管道接到各家各户。
SSMB储存环上可以安装多条EUV光束线,同时让好几台光刻机开工。整套装置200米长、20米宽,它不是一台机器,而是一座建筑。
ASML的EUV光源功率大概250瓦,而SSMB-EUV方案的设计功率远超这个量级。2022年12月,雄安新区和清华大学签署了合作意向书。
2023年初,项目团队赴雄安考察选址,2月确定选址地点。清华大学主导的SSMB已经在雄安选址开工建设1千瓦级SSMB-EUV光源,投资在10亿量级。
这条路目前还在科研验证阶段,离真正能用来造芯片还远。从SSMB到实用化,速度赶不上传统的LPP-EUV路线。
而且此前网上流传的"光刻工厂已在雄安建成"是误传,那张配图实际上是北京怀柔的高能同步辐射光源项目HEPS。光刻工厂的概念很美好,但冷静地看,它面临投资巨大、建设周期长、集中式光源的可靠性风险等一系列挑战。
这不是短期内能兑现的东西。那为什么它仍然值得关注?因为它代表了一种思路的转换。
2026年4月15日,英伟达CEO黄仁勋在一档播客节目中做了一场信息量极大的对谈。他的核心观点是:限制芯片出口短期会延缓中国的发展速度,但长期来看只会逼迫中国形成自己的完整生态链。
这个体系一旦形成,就不再需要依赖外部,也不再容易被切断。黄仁勋的话,放在光刻机这件事上同样成立。
中国新能源汽车的弯道超车已经是一个活生生的案例——在燃油车的发动机、变速箱、底盘三大件上被卡了几十年突破不了,后来换到电机、电池、电控的全新技术体系,反而实现了产业跃迁。
光刻工厂的逻辑有几分相似:不在ASML定义的赛道上跟跑,而是把"造一台极致精密的设备"变成"建一套系统化的工程"。大型工程建设,恰恰是中国工业体系最擅长的领域。
类比归类比,芯片制造和汽车制造毕竟是两个完全不同的领域,光刻机的技术壁垒远比发动机更深更广。没有谁敢打包票说光刻工厂一定能成。
中国没有把所有鸡蛋放在一个篮子里。传统LPP-EUV光源在推进,DUV光刻机在量产爬坡,纳米压印和电子束在特定领域扎根,SSMB光刻工厂在做科研验证——多条腿走路,哪条先跑通就先用哪条。
中国半导体产业对MATCH法案的反应"出奇地平静"——没有恐慌,没有抢购潮。七年持续施压,反而锻造出了一种产业层面的战略定力。
韩国教授说十年不够。也许他是对的——如果目标是复刻一台一模一样的ASML光刻机。但如果中国走的根本不是同一条路呢?
无论外部封锁怎么变,中国半导体行业正在用自己的方式往前走,步子不算快,但方向越来越清晰。
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