国家知识产权局信息显示，三星（中国）半导体有限公司;三星电子株式会社申请一项名为“原子受力的计算方法、装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品”的专利，公开号CN121963958A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开关于原子受力的计算方法、装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品，所述方法包括：通过与主机关联的计算存储模块基于待处理的多个原子的第一特征数据生成原子图，并将多个原子的第二特征数据发送到主机的处理器，其中，第二特征数据包括多个原子的第一特征数据中的至少一部分特征数据以及原子图内多个原子的拓扑信息；通过处理器基于多个原子的第二特征数据计算多个原子的能量和受力。

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作者：情报员