国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“多沟道晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN121985553A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种多沟道晶体管及其制备方法，属于电力电子领域。该多沟道晶体管包括：外延层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述外延层包括多个层叠的异质结，所述外延层的顶面具有至少贯穿一个所述异质结的凹槽；所述源电极和所述漏电极位于所述外延层上，且间隔排布在所述凹槽的两侧，所述源电极和所述漏电极均与各所述异质结电性相连；所述绝缘层至少位于所述凹槽内，所述栅电极位于所述绝缘层的远离所述外延层的表面，且位于所述凹槽内；所述外延层上还设有n型离子注入区，所述n型离子注入区靠近所述凹槽。本公开实施例能充分发挥多沟道晶体管的高导通电流密度的优势。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目31次，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可111个。

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作者：情报员