来源：新浪证券-红岸工作室

5月8日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“靶材磁铁起吊装置及物理气相沉积设备”的专利，授权公告号CN224185752U，授权公告日为2026年5月1日。申请号为CN202521059283.7，申请公布日期为2026年5月1日，申请日期为2025年5月27日，发明人梁钦超，专利代理机构上海思微知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师赵素香，分类号B66C23/16、C23C14/35、B66C23/62、B66C23/683、B66C13/08。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体制造技术领域，提供了一种靶材磁铁起吊装置及物理气相沉积设备，所述靶材磁铁起吊装置包括：基体、吊装主体、起落组件和起吊座；所述吊装主体的一端可被驱动转动的设置于所述基体；所述起落组件与所述吊装主体转动连接，所述起吊座与所述起落组件连接，所述起吊座上设置有用于与靶材磁铁连接的连接结构；所述吊装主体和所述基体连接处的转动中轴线与所述起落组件和所述吊装主体连接处的转动中轴线平行。本实用新型通过对靶材磁铁起吊装置的改进，使其较为适用于靶材磁铁起吊的使用场景，同时简化靶材磁铁的起吊过程，提高起吊效率，降低劳动强度。

芯联集成成立于2018年3月9日，于2023年5月10日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为浙江省绍兴市。该公司是国内集成电路制造领域企业，专注MEMS和功率器件等晶圆代工及模组封测业务，具备一站式系统代工服务能力。

芯联集成主营业务为MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，为客户提供一站式系统代工解决方案。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，概念板块包括沪股通、政府控股、中盘股。

2025年，芯联集成营业收入81.8亿元，在行业7家公司中排名第5，远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹公司的172.91亿元，也低于行业平均数166.12亿元和中位数108.85亿元。其主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入59.83亿元，占比73.15%；模组封装收入15.08亿元，占比18.43%；研发服务及其他收入3.98亿元，占比4.87%；其他(补充)收入2.9亿元，占比3.55%。净利润方面，2025年为 -19.33亿元，在行业7家公司中排名第7，而第一名中芯国际净利润72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1霍尔器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321598.72026-03-17CN121888864A2026-04-17黄艳、赵晓燕2套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀3MEMS器件及其制造方法发明专利公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋4高压电容隔离器及其制造方法发明专利公布CN202610156455.52026-02-04CN121645907A2026-03-10徐涛、王旭、刘晓雪5深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭6负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩7封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能8一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶9电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏10一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶11输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰12一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文13一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭14晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽15一种MEMS加速度计及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511852166.02025-12-10CN121276091A2026-01-06马玉莎、张兆林、王红海16屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法发明专利公布CN202511837217.22025-12-08CN121645929A2026-03-10刘书晓、周圣杰17高压半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511834633.72025-12-08CN121310568B2026-03-24谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽18麦克风及其制造方法发明专利授权CN202511824007.X2025-12-05CN121262521B2026-03-31唐丽文19产品检测方法、装置、存储介质和电子设备发明专利授权CN202511823575.82025-12-05CN121276286B2026-05-01孙海丽、康栋、王颖、李鹏20RC-IGBT及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511808670.02025-12-03CN121310558A2026-01-09唐伟闻、余龙21纳米探针的修复方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810106.22025-12-03CN121522223A2026-02-13李帅22用于CESL特性测试的测试版图及测试结构发明专利公布CN202511764655.02025-11-27CN121568558A2026-02-24吴桥伟23基片背面缺陷标记方法及标记设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511753460.62025-11-26CN121616539A2026-03-06张良敏、许大建24虚拟量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511742208.52025-11-25CN121598081A2026-03-03康栋、孙海丽、王颖、李鹏25半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511682862.12025-11-17CN121548044A2026-02-17孔孟书、孙金山、顾学强、陈为立、徐剑26提高键合晶圆机械强度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511671695.02025-11-14CN121493865A2026-02-10陆晓龙、王红海、姚阳文27薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511664756.02025-11-13CN121428522A2026-01-30李官勐、左中伟、李乾伟、王志军、王颖超28半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511665207.52025-11-13CN121815687A2026-04-07裴博、吴荣成、周旭、杨晓寅、陈连旭29一种半导体器件及其制备方法和电子装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511655487.12025-11-12CN121398101A2026-01-23张俊龙、黎震宇、王琛、刘国安30半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511647250.92025-11-11CN121536877A2026-02-17王宇、陆晓龙、姚阳文31IGBT结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511628929.32025-11-07CN121510604A2026-02-10张玉琦、戴银、任文珍、丛茂杰32掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511613526.12025-11-06CN121232519A2025-12-30张弓玉帛、金港杰、周旺、陈浩冬33一种绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利授权CN202511606930.62025-11-05CN121078798B2026-03-24魏翔、王琛34统计过程控制方法、装置、设备及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511589900.92025-11-03CN121350142A2026-01-16周暐、李悦、孙海丽、项林、高菲燕35一种半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511540384.02025-10-27CN121398069A2026-01-23姚泽辉、李婧、张文博、金善武36屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管发明专利实质审查的生效、公布CN202511513621.42025-10-22CN121357933A2026-01-16徐西贤、阚志国37沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511513278.32025-10-22CN121368377A2026-01-20李宏伟、王旭38一种功率半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511474976.72025-10-15CN121174537A2025-12-19胡俊杰、任文珍39半导体器件及基于其的接合状态检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511422267.42025-09-30CN121358260A2026-01-16王涛、王红海40半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511391055.42025-09-26CN121335132A2026-01-13徐鹏、王琛、刘国安41监控结构、芯片、监控方法及光刻工艺控制系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511362916.62025-09-23CN121276894A2026-01-06周义鹏、李福松、吴荣成、周旭42一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511328616.62025-09-17CN121174546A2025-12-19周圣杰、阚志国、李远哲43一种半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511318736.82025-09-16CN120824256B2025-12-23黎震宇、吴梦圆、张俊龙、王琛、刘国安44一种半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511318587.52025-09-16CN120824255B2026-02-24黎震宇、张俊龙、吴梦圆、王琛、刘国安45静电放电保护电路和电子器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511314048.42025-09-15CN121355852A2026-01-16阳平、任文珍、丛茂杰46监控退火腔室环境稳定性的方法、监控晶圆及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511290074.82025-09-10CN121149133A2025-12-16金熠、尹维明47一种半导体器件和版图优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511291609.32025-09-10CN121531785A2026-02-13白鑫、吴荣成、林润48应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202511255701.42025-09-04CN120749074A2025-10-03马玉莎、王新龙49一种LDMOS器件及其制造方法发明专利公布CN202511246179.32025-09-02CN121038331A2025-11-28李忠仁、何福秀50一种半导体器件的制造方法发明专利公布CN202511244828.62025-09-02CN121038309A2025-11-28周圣杰、阚志国、李远哲

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