消息面上，2026年以来，半导体行业上游材料、晶圆代工以及封装环节纷纷涨价，推动行业成本上涨，逐渐形成了全产业链价格普涨之势。其中，最引人瞩目的是2025年以来存储芯片的超级涨价热潮。IDC指出：“超大规模云计算厂商正在采购一种本质上不同、价格更昂贵的内存，并且为了确保供应愿意支付溢价。”该机构预测，今年动态随机存取存储器（DRAM）的行业营收可能会增长近两倍，达到4186亿美元。NAND闪存的营收则有望翻一番以上，达到1741亿美元。

中信证券表示，4月算力链涨价延续与扩散获验证。存储涨价主线仍未结束，DRAM、NANDFlash合约价大幅上行，AI需求与HBM产能切换双重驱动。涨价已从存储全面扩散至被动元件、模拟芯片、功率器件、电子布全链条，CCL、MLCC等后周期环节景气逐步升温。国产算力进入正循环，DeepSeekV4深度适配国产芯片，国产算力芯片逐步迎来从“能用”到“好用”的拐点，950PR出货在即，寒武纪、海光信息等一季报高增验证景气度，国产两存与先进制程扩产推动半导体设备国产化率持续提升。

截至2026年5月8日11:23，上证科创板芯片指数(000685)下跌3.62%。成分股方面涨跌互现，联芸科技领涨5.18%，峰岹科技上涨4.07%，中船特气上涨2.22%；华虹公司领跌6.67%，寒武纪下跌6.35%，龙芯中科下跌5.63%。科创芯片ETF博时(588990)下跌3.69%，最新报价3.34元。拉长时间看，截至2026年5月7日，科创芯片ETF博时近2周累计上涨22.03%。

流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手10.22%，成交5847.26万元，市场交投活跃。拉长时间看，截至5月7日，科创芯片ETF博时近1年日均成交6140.30万元。

规模方面，科创芯片ETF博时最新规模达5.88亿元，创近3月新高。

科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年4月30日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为寒武纪、海光信息、中芯国际、澜起科技、中微公司、芯原股份、源杰科技、佰维存储、拓荆科技、华虹公司，前十大权重股合计占比63.08%。

科创芯片ETF博时(588990)，场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A：022725；博时上证科创板芯片ETF发起式联接C：022726)。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）

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