国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“竖直三维(3D)存储器中的数字线形成”的专利，公开号CN122002800A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开涉及竖直三维3D存储器中的数字线形成。提供用于具有水平定向存取装置及存储节点的竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法及设备。所述水平定向存取装置具有由沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。在所述沟道区处的栅极完全围绕所述沟道区的每个表面形成作为通过栅极电介质与沟道区分离的全环绕栅极GAA结构。所述存储器单元具有连接到所述第二源极/漏极区的水平定向存储节点及连接到所述第一源极/漏极区的数字线。

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作者：情报员