国家知识产权局信息显示，无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、控制方法”的专利，公开号CN122028434A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法、控制方法，该制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有晶体管；形成覆盖晶体管的第一介电层；在第一介电层上形成彼此并联连接的第一电容和第二电容，其中，第一电容包括第一顶电极层、第一电容介质层和第一底电极层，第二电容包括第二顶电极层、第二电容介质层和第二底电极层，其中，第一底电极层和第二底电极层与晶体管电连接，第一电容介质层与第二电容介质层的厚度不同。本申请通过在介电层上形成彼此并联连接的两个电容，由于电容介质层的厚度不同，不同电容具有不同的矫顽电场，从而在一个存储单元中实现多种不同的存储状态，提高了器件的存储容量。

天眼查资料显示，无锡华润微电子有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本57000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3027次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息130条，此外企业还拥有行政许可192个。

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作者：情报员