《科创板日报》5月13日讯（记者 陈俊清） 中微公司今日（5月13日）举行2026年第一季度业绩说明会。

中微公司董事长尹志尧于会上表示，通过有机生长和外延扩展，公司将在五年左右时间内，覆盖60%以上的集成电路高端关键设备、70%以上的先进封装设备，全面成长为国内领先、全球一流的集成电路设备平台型公司。

早在多年前，中微公司便提出“三维立体发展战略”，正式启动平台化转型。依托刻蚀技术积累，公司向前道制程延伸布局薄膜、CMP、量检测等核心工艺设备，同时拓展MOCVD、新型显示等泛半导体领域。

刻蚀业务量价齐升 先进工艺实现大规模量产

作为公司基石业务，刻蚀设备成为一季度业绩增长的核心驱动力。尹志尧介绍，公司针对先进逻辑、先进存储器件制造的高端刻蚀产品新增付运量大幅提升，适配先进逻辑中段、存储超高深宽比场景的多款关键刻蚀工艺已实现大规模量产。

尹志尧进一步表示，公司介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已付运客户端开展验证，目前公司已全面覆盖存储器刻蚀各类超高深宽比工艺需求，技术实力持续对标国际一线水平。

在巩固刻蚀业务领先地位的同时，中微公司产品矩阵持续完善。薄膜设备方面，已成功开发出钨系列薄膜沉积设备、ALD氮化钛、ALD钛铝、ALD氮化钽等产品，以及钼金属沉积设备等。

尹志尧透露，公司采用甚高频去耦合的反应离子等离子体源的PECVD设备，搭配16个反应台配置，与客户的各项验证工作顺利进展中。新开发的CuBS PVD超多反应腔集成设备，相较国内外标配设备大幅降低BS的电阻率，输出率提升50%至100%，获得多家头部客户认可并已交付至国内先进逻辑器件研发线验证。

先进封装领域，中微公司目前已覆盖的CCP和TSV设备等核心刻蚀设备已经批量交付，并已布局PVD、CVD、ECP、键合和量检测等设备。

量检测设备赛道上，中微公司通过投资和成立子公司布局了量检测设备板块。尹志尧表示，子公司超微公司引入多名国际顶尖的电子束量检测设备领域专家，已规划覆盖多种量检测设备产品。

产能端，中微公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已于2024年8月正式投入使用，临港二期约20万平方米的生产和研发基地拟于2026年下半年开工建设。

外延并购叠加内生布局 平台化战略全面提速

自“三维立体发展战略”落地以来，中微公司坚持“有机生长+外延扩展”双轮驱动策略，2026年该战略落地成效凸显。

外延拓展方面，5月13日，中微公司公告收到证监会批复，同意公司发行股份及支付现金购买杭州众硅电子64.69%股权，并募集配套资金不超过15亿元的注册申请。尹志尧在业绩会上表示，对杭州众硅的收购落地，标志着中微向“集团化、平台化”发展迈出关键一步。

值得注意的是，本次并购从受理到注册生效仅用时10个工作日。标的公司杭州众硅是国内少数掌握12英寸高端化学机械抛光（CMP）设备核心技术且实现量产的企业，其主营的CMP湿法工艺设备，可与中微公司现有刻蚀、薄膜沉积等干法设备形成互补。

内生研发方面，公司当前同步推进六大类、超二十款新设备研发。目前已落地LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS、PECVD等全系列薄膜设备产品，多款适配先进逻辑、先进存储制程的LPCVD、ALD设备已实现市场化交付；刻蚀设备更是完成65nm至3nm及更先进工艺节点的全覆盖。

谈及新品研发提速，尹志尧向《科创板日报》记者表示，公司已实现核心技术模块化、成熟化，新品研发仅需针对性开发30%-40%的定制化模块，剩余60%-70%的通用技术、结构组件均可复用成熟技术，降低研发成本、缩短研发周期。

同时，人工智能、数字仿真技术在研发设计中的深度应用，进一步提速产品迭代；公司与下游头部晶圆厂深度绑定，客户新品导入意愿持续增强，有效缩短设备验证、量产周期。

此外，公司通过增资核心子公司进行产业布局。工商信息显示，中微半导体设备（四川）有限公司注册资本已由1亿元增至10亿元。尹志尧透露，中微成都将面向高端逻辑及存储芯片，开展化学气相沉积设备、原子层沉积设备及其他关键设备的研发和生产工作。