存储行业的层数竞赛又生变数。据韩媒ZDNET Korea报道，铠侠第十代BiCS FLASH（BiCS10）的量产时间已从原计划的2026年推迟至2027年，具体投资安排预计2026年下半年才会明确。

层数堆叠是3D NAND闪存提升容量的核心路径。BiCS10将堆叠层数推至332层，较现有BiCS8的位密度提升59%，I/O接口速率可达4.8Gbps。这一规格直指数据中心和企业级存储对高密度、高性能的持续需求。

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技术架构上，铠侠在BiCS8世代引入了CBA（CMOS直接键合到存储阵列）架构，把存储单元与外围电路的制造解耦。去年出样的BiCS9正是沿用了这一路线——存储单元技术保持迭代，CMOS部分则采用最新工艺。BiCS10预计延续该策略。

量产节点推迟意味着市场窗口期的重新分配。在2027年之前，三星、SK海力士等竞争对手的同类产品节奏将成为关键变量。层数领先能否转化为份额优势，还要看实际良率和成本曲线。

对下游而言，332层产品的落地将直接推动SSD单盘容量上限，但时间表的延后也可能让QLC等替代方案获得更长的渗透周期。存储技术的代际更替，从来不只是实验室里的数字游戏。