来源：市场资讯
（来源：半导体芯情）
近日，美光宣布，已在其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂正式启动 1α（1-alpha）DRAM 的生产，这是美国迄今为止最先进的内存技术，将用于生产DDR4及LPDDR4产品，预计将于今年年底实现全面量产，将使该基地DDR4 晶圆供应量提升四倍。主要服务于汽车、国防、航空航天、工业、网络设备及医疗设备等拥有长生命周期需求的客户群体，该客户群体中并未包含数据中心领域。
据了解，美光此次扩大 DDR4 生产规模，主要是为了缓解意料之外的供应紧缺。随着 AI 浪潮的爆发，全球三大 DRAM原厂正将产能集中转向 DDR5、LPDDR5X 和高带宽内存（HBM），以满足数据中心和超大规模云服务商的旺盛需求。美光也于 2025 年针对主流消费级和数据中心领域的 DDR4 及 LPDDR4 产品发布了停产通知（EOL），预计相关最终出货在 2026 年初结束。产能的转移使得汽车、国防、工业等依赖长生命周期产品的行业面临供应风险，美光重启DDR4生产并扩产正是为了填补这一市场缺口。
据悉，美光将 1α 制程引入弗吉尼亚州，实际上是为 DDR4 和 LPDDR4 建立了一条专用的本土生产线，从而避免与美光面向 AI 市场的尖端产品争夺晶圆产能。
根据规划，美光将在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，首座预计于明年中开始产出晶圆，第二座则计划于2028年底投产；并会在纽约州锡拉丘兹打造最多4座晶圆厂。同时，公司亦投入逾20亿美元升级弗吉尼亚州工厂，而且该工厂已启动全美首个“1-alpha”制程DRAM量产，标志其推动先进存储器制造回流美国的重要一步。
整体而言，美光承诺在美国投资高达2,000亿美元用于制造与研发，计划将本土产量占全球总产量比例由目前约10%提升至40%，并预计可创造约9万个就业机会。
美光对于扩产的原因，美光表示，受人工智能算力需求爆发拉动，全球内存芯片短缺将延续至 2026 年之后，大规模新增产能最快 2028 年集中释放，存储行业正式进入 AI 驱动的超级景气周期。
当前全球 AI 大模型、AI 服务器高速扩张，单台 AI 服务器存储需求为传统服务器的 8—10 倍，数据中心、云计算、智能终端持续拉动存储芯片刚需。美光启动横跨美国三州、总额 2000 亿美元的扩产投资计划，但厂房建设、设备调试周期漫长，目前对核心 AI 客户的内存供应仅达 50%—2/3，供需缺口持续扩大。
行业数据显示，2026 年全球半导体市场规模将突破 9750 亿美元，存储芯片贡献近三成增量，价格持续上行，国内长鑫存储、长江存储等企业加速扩产，国产替代进程提速。A 股存储芯片、半导体设备、存储材料板块持续受益，算力硬件产业链迎来长期红利。
不过市场也存在隐忧，美光大规模扩产引发投资者担忧，若 2028 年集中产能落地，或引发行业产能过剩、价格回落。同时，全球地缘贸易摩擦、供应链重构，加剧存储行业不确定性。业内分析师表示，短期存储芯片供需偏紧格局难以逆转，2026—2027 年为行业黄金周期，国产存储企业应抓住窗口期，加速技术迭代、抢占全球市场份额，应对后续产能释放带来的行业竞争。
热门跟贴