【CNMO科技消息】5月29日，三星电子宣布，已向全球客户供应全球首款HBM4E 12层样品，进一步推进下一代高带宽存储器产品布局。此前，三星已于今年2月启动HBM4量产出货，此次在数月后提供HBM4E样品，意味着其正加快面向AI基础设施市场的产品推进节奏。

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据了解，这款HBM4E 12层产品在设计和工艺优化后，单引脚传输速率可从14Gbps提升至最高16Gbps，较上一代HBM4提升超过20%。在带宽方面，单堆栈可提供每秒3.6TB的数据吞吐能力，可用于大语言模型及下一代AI系统的高强度计算需求。

容量方面，HBM4E 12层产品实现48GB容量，较前代提升超过30%。按照规划，三星后续还将扩展32GB的8层版本和64GB的16层版本，以适配不同客户的应用场景。

三星表示，HBM4E采用已在HBM4上验证的工艺，也就是10纳米级第六代DRAM，并结合自有4纳米逻辑芯片。公司称，这一组合有助于提升先进工艺稳定性，并兼顾良率与量产能力。同时，产品还通过低功耗设计和封装结构优化，使能效较前代提升16%，热阻特性改善超过14%。

按照计划，三星将在此次样品供应基础上，依据客户时间表推进量产供货。作为背景，三星今年2月已实现HBM4量产出货。公司称，客户对HBM4在速度和功耗表现上的反馈较为积极。去年12月，HBM4在SiP测试中达到11.7Gbps，并获得较高级别评价。由于HBM4与HBM4E采用相同的1c DRAM和4纳米基础芯片组合，业内也关注HBM4E后续转入量产的进展。