国家知识产权局信息显示,舍弗勒技术股份两合公司申请一项名为“功率模块、逆变器以及制造功率模块的方法”的专利,公开号CN122123201A,申请日期为2024年11月。

专利摘要显示,本发明涉及一种功率模块(LM),其包括:具有可烧结顶侧电接触表面(KF1)的功率半导体元件(LE);具有可烧结底侧(US)和可键合顶侧(OS)的键合元件(BE),用于形成顶侧键合连接(BV1);双侧可烧结的连接元件(VE),其设有底侧可烧结纳米结构(NS1)和顶侧可烧结纳米结构(NS2),并通过底侧纳米结构(NS1)与功率半导体元件(LE)的顶侧接触表面(KF1)以及通过顶侧纳米结构(NS2)与键合元件(BE)的底侧(US)进行烧结,从而在物理与电气上将键合元件(BE)与功率半导体元件(LE)的顶侧接触表面(KF1)连接。本发明还描述了一种带有所述功率模块(LM)的逆变器以及一种制造功率模块(LM)的方法。

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作者:情报员