国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体器件和制造金属化结构的导电结构的方法”的专利，公开号CN122138691A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括半导体衬底，该半导体衬底包括第一主表面和位于第一主表面上的金属化结构。金属化结构包括一个或多个导电结构，该导电结构包括金属扩散阻挡层和位于金属扩散阻挡层上的铜层。金属扩散阻挡层具有厚度t、上表面、下表面和侧面，所述侧面在形成于上表面和侧面之间的上边缘和形成于下表面和侧面之间的下边缘之间延伸。上边缘和下边缘之间的线性距离d为t ≤ d ≤ 1.1 t或t ≤ d ≤ 1.05 t。

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作者：情报员