在2026台北国际电脑展（Computex 2026）上，SK海力士提前展示了下一代HBM4E存储芯片。
HBM4E 带来 33% 存储密度提升、38% 带宽增长，瞄准 4TB/s 下一代 AI 数据中心芯片
这款新产品一个裸片(Die)容量达到32Gb，相比HBM4提升约33%。借助更高密度设计，仅需12层（12-Hi）堆叠即可实现与16层（16-Hi）HBM4相同的48GB容量。
不仅如此，HBM4E的速度也进一步提升，单Pin传输速率最高可达16Gbps，较HBM4提高约37%，从而将整体内存带宽推升至创纪录的4TB/s。
HBM4E的核心亮点正是更高的带宽与更高的存储密度。SK海力士已经率先展示HBM4E样品，并积极推进量产进程。
预计首批采用HBM4E的产品将是明年发布的NVIDIA Rubin Ultra GPU。作为Rubin的升级版本，Rubin Ultra将采用更高密度设计，在单一封装中集成多个GPU与HBM4E堆栈，从而实现AI性能的大幅跃升。
除了HBM，SK海力士还在开发新一代堆叠式NAND解决方案AI-N B。
该技术采用类似HBM的设计思路，通过TSV（硅通孔，Through-Silicon Via）技术将多层NAND Die垂直堆叠在一起。
其目标是在保持SSD级超大容量的同时，实现接近HBM的超高吞吐性能。
这一技术路线与HBF、Z-Angle等新型存储架构类似，有望缓解当前AI时代日益严重的存储供需失衡问题。
除了面向AI服务器市场的HBM产品之外，SK海力士还展示了多款客户端存储新品。
其中包括基于1cnm工艺打造的96GB LPCAMM2模组，这是SK海力士首款96GB LPCAMM2产品。
该模组采用LPDDR5X标准，数据传输速度最高可达9.6Gbps，预计将在今年晚些时候应用于新一代“AI PC”平台。
与此同时，SK海力士还展示了基于第九代（V9）NAND技术的产品组合，包括：
·V9 QLC NAND
·V9 TLC NAND
相关产品最高可提供2TB存储容量，并采用紧凑型cSSD规格。
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