国家知识产权局信息显示，南京国科半导体有限公司申请一项名为“一种甚长波InAs/InAsSb超晶格红外探测器的外延方法”的专利，公开号CN122257113A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请公开了一种甚长波InAs/InAsSb超晶格红外探测器的外延方法，涉及半导体器件技术领域。该方法先将GaSb衬底升温预处理，然后施加In束流与As束流生长InAs层，再同步等增量增加As、Sb束流生长过渡层，随后稳定As、Sb束流生长InAsSb层，再同步等减量调节As、Sb束流恢复初始As束流且Sb束流归零；重复上述各层的生长过程，形成超晶格结构，经后处理制得目标外延片。本发明通过精准控制束流与V/III比，实现InAs层与InAsSb层的平滑过渡，获得高质量超晶格结构，保障其甚长波响应特性，显著提升探测器响应率、探测率及工作稳定性。

天眼查资料显示，南京国科半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本424.846万人民币。通过天眼查大数据分析，南京国科半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目8次，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可18个。

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作者：情报员