来源：新浪证券-红岸工作室

6月27日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及半导体系统”的专利。申请公布号为CN122294920A，申请号为CN202411886244.4，申请公布日期为2026年6月26日，申请日期为2024年12月19日，发明人李昊、许灿、何伟业，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号H10W20/00、C23C16/18、C23C16/04。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的形成方法及半导体系统。所述方法包含：提供一基片，所述基片包含金属层，在所述金属层上方设有一介质层，所述基片设有若干开口以暴露所述金属层，所述开口由所述介质层组成的侧壁及由所述金属层组成的底部界定；以亲金属前驱体为原料，在所述开口的底部选择性沉积一牺牲层；采用第一腔室，在所述开口的侧壁表面选择性沉积一阻挡层；采用第二腔室，在所述阻挡层表面沉积一金属衬垫层；采用所述第二腔室，去除所述牺牲层。本发明的形成和去除牺牲层步骤，均可以集成现有的工艺设备，耗费的工艺气体较少，低碳、绿色、环保，形成的金属互连结构，互连电阻有效减少，半导体器件的良率和寿命等性能均有明显改善。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62691.781万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目87次，财产线索方面有商标信息114条，专利信息1720条，拥有行政许可88个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种射频功率供应系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平3晶圆托盘外观专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇4聚焦环外观专利授权CN202530468204.72025-08-08CN310024085S2026-06-09范光伟、周艳5聚焦环外观专利授权CN202530468218.92025-08-08CN310024087S2026-06-09范光伟、周艳6聚焦环外观专利授权CN202530468041.22025-08-08CN310024084S2026-06-09范光伟、周艳7气体喷淋头外观专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元8气体喷淋头外观专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成9气体喷淋头外观专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元10接地环外观专利授权CN202530466452.82025-08-07CN310024083S2026-06-09周艳、李开元11一种气相沉积装置实用新型授权CN202521091304.32025-05-29CN224337694U2026-06-09何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊12一种聚焦环功率调节组件实用新型授权CN202520964307.72025-05-15CN224342273U2026-06-09田宁、叶如彬、范光伟13一种等离子体处理装置及其约束环组件实用新型授权CN202520892625.72025-05-07CN224342272U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁14一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置实用新型授权CN202520892567.82025-05-07CN224350749U2026-06-12董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远15一种金属钛层的沉积工艺发明专利公布CN202510559967.12025-04-29CN122214841A2026-06-16沈成绪、许灿16反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强17基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开18基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开19环组件及外延生长设备实用新型授权CN202520811017.92025-04-25CN224337799U2026-06-09张辉、姜银鑫、陆顺开20一种下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520786770.72025-04-23CN224342271U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可21一种半导体处理设备及其气体喷淋头实用新型授权CN202520786902.62025-04-23CN224343720U2026-06-09程程、李雪子22电磁线圈组件及半导体加工设备实用新型授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥23一种磁控管组件及磁控溅射设备实用新型授权CN202520736456.82025-04-17CN224337693U2026-06-09刘畅、刘恺民、王能语24一种基片处理系统实用新型授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星25一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅26一种升降驱动组件和半导体工艺设备实用新型授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳27下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟28一种掩膜结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海29掩膜结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海30一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙31等离子体约束结构及等离子体处理设备实用新型授权CN202520402185.22025-03-07CN224232637U2026-05-12叶如彬、马越、王洪青、范光伟32一种环组件及成膜装置实用新型授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟33一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟34一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备实用新型授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强35一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强36一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫37一种基座及化学气相沉积设备实用新型授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮38一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬39一种隔离结构及化学气相沉积装置实用新型授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开40缓冲装置实用新型授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业41一种化学气相沉积装置发明专利授权CN202510073813.12025-01-16CN119932527B2026-04-10张辉、姜银鑫、姜勇42一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉43一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪44化学气相沉积设备实用新型授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远45一种晶圆承载组件及半导体处理设备实用新型授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋46一种用于气柜可燃性测试的系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411980652.62024-12-30CN119375415A2025-01-28王治平、宋飘、宋常征、权汉钊47一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军48一种半导体工艺平台实用新型授权CN202423296470.52024-12-30CN223660196U2025-12-12陶珩、何伟业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊49一种半导体处理设备及其固态前驱体输送系统和输送方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411947571.62024-12-26CN119372628B2025-03-18庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫50一种用于半导体处理设备的气体输送装置和气体通路模块实用新型授权CN202423230256.X2024-12-25CN223524974U2025-11-07姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫