国家知识产权局信息显示，成都微光集电科技有限公司申请一项名为“一种横向溢出积分电容像素结构及其制备方法、图像传感器”的专利，公开号CN122318333A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种横向溢出积分电容像素结构及其制备方法、图像传感器，方法包括：对基底进行离子注入，形成光电二极管衬底；对所述光电二极管衬底所在区域进行至少两次离子注入，以形成势垒高度不同的势垒区；光电二极管的势垒中心偏向传输管一侧；对所述光电二极管衬底进行退火，以使至少两次注入的离子融合，以及不同的势垒阱连接。本申请横向溢出积分电容像素结构中的像素可以在少量电子和溢出电子时选择在光电二极管的存储模式，能有效避免电子的错位溢出情况，提高图像的亮场均一性。

天眼查资料显示，成都微光集电科技有限公司，成立于2014年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3363.1655万人民币。通过天眼查大数据分析，成都微光集电科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息623条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员