国家知识产权局信息显示，北京大学;北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件、电子设备”的专利，公开号CN122318297A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请提供了一种堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件、电子设备，该方法包括：在衬底上形成堆叠结构；堆叠结构在第一方向上包括依次堆叠的正面有源层、第一牺牲层、背面有源层、第二牺牲层和第三牺牲层；刻蚀堆叠结构，形成有源结构；在衬底上沉积绝缘材料，形成浅沟槽隔离层；通过热氧化，在有源结构上形成第一栅氧化层；形成伪栅结构；第一次倒片，并减薄衬底，以暴露浅沟槽隔离层；形成背面晶体管；第二次倒片；形成正面晶体管；在第一次倒片之前或第一次倒片之后，该方法还包括：暴露背面有源结构中远离正面有源结构的第一表面；对第一表面进行热氧化处理，形成第二栅氧化层；第二栅氧化层和第一栅氧化层共同包裹有源结构。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员