涨价！存储芯片，“供应严重短缺”！|dram|海力士|美光|闪存

消息面：据全球知名产业研究机构集邦咨询（TrendForce）的最新报告，预计在2026年第三季度，传统DRAM产品的合同价格将环比上涨13%至18%，NAND闪存合约价格将环比上涨10%至15%。报告称，AI（人工智能）推理系统和超大规模数据中心的需求依然强劲，足以让DRAM和NAND供应持续受限。

▲ 淘股吧题材掘金

一存储芯片全景

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▲ 存储芯片全景

技术定位与宏观数据

DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存）是半导体存储芯片的两大核心品类。DRAM通过电容充放电存储数据，需要周期性刷新以维持电荷；NAND Flash通过浮栅晶体管存储电荷，具备非易失性。

2026年存储芯片市场处于AI驱动的结构性繁荣周期，价格持续上行。据全球知名产业研究机构集邦咨询（TrendForce）最新报告，2026年第三季度传统DRAM合约价格预计环比上涨13%至18%，NAND闪存合约价格预计环比上涨10%至15%。AI推理系统和超大规模数据中心需求强劲，足以让供应持续受限。但因消费级应用需求下修及高基期作用，涨幅较前几季明显收敛。

▲ 宏观数据

市场规模方面，2026年第一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达1371.4亿美元，环比增长81.6%，同比增长245%，再创历史季度新高。其中DRAM市场规模943.25亿美元，NAND Flash市场规模428.15亿美元。

竞争格局方面，三星、SK海力士、美光占据前三甲。2026年第一季度，三星DRAM市场份额40.5%排名第一，SK海力士29.6%排名第二，美光19.9%排名第三，长鑫存储市场份额提升至7.7%排名第四。NAND市场方面，三星29.7%居首，SK海力士17.6%、铠侠14.9%、闪迪13.9%、美光11.7%分列二至五位。

▲ 竞争格局

存储芯片技术路线对比

▲ 技术路线对比（一）

▲ 技术路线对比（二）

二上游环节拆解——核心材料与设备

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核心制造材料

12英寸硅片是存储芯片制造的核心衬底材料，占晶圆制造材料成本约38%。2026年存储用12英寸硅片市场由信越化学、SUMCO等日企主导，国产化率约18%。沪硅产业300mm硅片已批量供货长江存储等国内存储厂。

▲ 核心制造份额

EUV光刻胶是先进DRAM制程的关键材料。1c节点需5-6层EUV光刻。全球EUV光刻胶市场由JSR、东京应化、信越化学、富士胶片四巨头垄断，国产化率接近零。电子特气、CMP抛光液、高纯靶材等配套材料国产化率分别为30%、约15%、约5%。

▲ 配套材料工艺流程

核心制造设备

EUV光刻机是1b nm及更先进DRAM制程不可或缺的核心设备。1c节点需5-6层EUV光刻。ASML High-NA EUV（EXE:5200B）将于2026年扩大供应。

深硅刻蚀机（ASE）是3D NAND制造的核心设备。300层3D NAND深孔刻蚀深宽比达90:1至100:1。原子层沉积设备（ALD）用于沉积纳米级氧化硅/氮化硅交替膜层及高K介质，厚度控制精度达0.1nm。

▲ 核心制造设备（一）

▲ 核心制造设备（二）

三中游环节拆解——晶圆制造与先进封装

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DRAM制造工艺（1a/1b/1c nm节点）

DRAM制程从1x/1y/1z（亚20nm）演进至1a/1b/1c（10nm级）。1b节点起EUV光刻成为不可或缺的工具。1c节点需5-6层EUV光刻。DRAM单元采用6F²或4F²架构，电容器高深宽比金属填充是核心难点。

▲ DRAM制造工艺（一）

▲ DRAM制造工艺（二）

3D NAND制造工艺（300+层堆叠）

2026年全球头部厂商均已实现200层以上产品规模化量产，300+层进入第一梯队量产阶段。SK海力士321层QLC为全球首款300层级量产产品。长江存储基于Xtacking 4.0架构实现300层以上产品量产。铠侠BiCS 9/10代实现332层堆叠量产。三星286层V9为主力量产产品，计划2026年下半年推出400+层V10。