国家知识产权局信息显示，舍弗勒技术股份两合公司申请一项名为“功率模块、逆变器以及用于制造功率模块的方法”的专利，公开号CN122349797A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种功率模块（LM），其包括：‑具有可烧结顶侧电接触面（KF1）的功率半导体元件（LE）；‑具有用于建立顶侧电连接（BV1）的顶侧连接层（BS）以及在远离连接层（BS）的底侧上的可烧结纳米结构（NS）的连接元件（BE）；‑其中，所述连接元件（BE）通过底侧纳米结构（NS）与功率半导体元件（LE）的顶侧接触面（KF1）烧结，从而与功率半导体元件（LE）的顶侧接触面（KF1）在物理与电上连接。此外，本发明还描述了一种具有上述功率模块（LM）的逆变器以及一种用于制造功率模块（LM）的方法。

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作者：情报员