国家知识产权局信息显示，希力微电子（深圳）股份有限公司申请一项名为“一种SIC MOSFET终端结构及其制备方法”的专利，公开号CN122373422A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种SIC MOSFET终端结构及其制备方法，制备方法包括：在第一导电类型外延层上形成有源区第二导电类型体区和至少两个间隔设置的终端区第二导电类型体区；在第一导电类型外延层上形成有源区第二导电类型P区、交界区第二导电类型P区和M个间隔设置的终端区第二导电类型P区；且所述终端区第二导电类型P区与所述终端区第二导电类型体区重叠；在第一导电类型外延层上形成有源区第一导电类型JFET区和至少两个间隔设置的终端区第一导电类型JFET区；所述终端区第一导电类型JFET区与所述终端区第二导电类型P区重叠。本申请不需要额外的光刻掩膜版及光刻成本，不额外增加制造工艺；能够减小终端区尺寸，提高器件在晶圆上的利用率。

天眼查资料显示，希力微电子（深圳）股份有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，希力微电子（深圳）股份有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息22条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可8个。

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作者：情报员