国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“在直接接合的基板上的外延层及其制造方法”的专利，公开号CN122396218A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开涉及在直接接合的基板上的外延层及其制造方法。本公开涉及堆叠组件，该堆叠组件包括在其上堆叠有单晶碳化硅（SiC）层以及一个或多个外延层的多晶SiC基板。一个或多个外延层通过单晶层与多晶SiC基板完全分离，该单晶层堆叠在多晶SiC基板上使得单晶SiC层位于一个或多个外延层与多晶SiC基板的相应表面之间。本公开还涉及制造堆叠组件的一个或多个实施例的方法的一个或多个实施例。

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作者：情报员