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全球存储半导体市场的巨大变革正从DRAM（HBM）蔓延至NAND闪存领域。日本重现昔日半导体王国辉煌的势头强劲。
日本NAND闪存领域的领军企业铠侠（Kioxia，前身为东芝存储器）向全球存储市场的两大巨头——三星电子和SK海力士——发起了直接挑战。在人工智能（AI）数据中心快速发展推动高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）需求激增的背景下，铠侠此举无疑是向两大巨头宣战，誓要不惜一切代价夺回其被窃取的霸主地位。
仿佛为了印证这一点，铠侠（Kioxia）近期在日本股市掀起了一股戏剧性的逆转浪潮，市值超越了制造业的象征——丰田汽车公司，荣登榜首。业界关注的焦点在于，日本半导体企业凭借资本市场和技术实力所展现的复兴宣言，究竟会止步于口号，还是会成为威胁韩国半导体生态系统的利刃。
“NAND 发明者不能屈居第三”
据商界人士透露，铠侠控股社长大田信夫在近期举行的股东大会及公开活动中正式宣布：“无论需要多少年，我都一定会重夺全球NAND闪存市场第一的位置。” 他在接受当地媒体采访时强调：“作为全球首家发明NAND闪存的公司，如果一直停留在全球第三的位置，这是不可接受的。” 他补充道：“我将以自己的方式让公司变得更加强大，重返巅峰。”
铠侠的自信背后有着深厚的历史底蕴。其前身东芝曾是NAND闪存的全球领先企业，于1987年率先研发并实现了NAND闪存的商业化。然而，自2000年以来，东芝逐渐失去了主动权，被三星电子和SK海力士（包括收购Solidigm）超越。这两家公司凭借大型设备行业的优势，进行了大胆的“胆小鬼博弈”式投资。随后，母公司东芝的会计丑闻以及美国核电站业务的低迷，令铠侠的处境雪上加霜，最终在2018年被一家由贝恩资本、SK海力士等组成的韩美日财团收购。
目前，在全球NAND闪存市场份额（基于2026年第一季度营收）中，三星电子以29%的份额稳居榜首，SK海力士（包括Solidigm）以18%的份额位居第二，铠侠以14%的份额位居第三。美光和闪迪（西部数据）紧随其后，市场份额在13%左右。大田社长的声明被解读为意图发起全面反击，这标志着这家NAND闪存创始企业在将本土市场拱手让给韩国企业近20年后，再次以捍卫自身尊严为赌注。
人工智能淘金热改变了企业价值
铠侠重夺行业第一宝座的最有力现实背景是其前所未有的盈利增长以及随之而来的资本市场的爆炸性支持。
随着人工智能时代全面展开，用于存储大型语言模型（LLM）训练和推理所需海量数据的高性能企业级固态硬盘（eSSD）的需求呈指数级增长，与支持英伟达人工智能加速器的超高速动态内存（HBM）的需求相呼应。与全力投入HBM市场的竞争对手不同，铠侠始终专注于NAND闪存和固态硬盘，并充分利用了人工智能数据中心带来的这一市场下行效应。
事实上，铠侠2025财年（2025年4月至2026年3月）的合并收入同比增长37%，达到23376亿日元（约合22万亿韩元，146亿美元），营业利润飙升93.4%，达到8762亿日元，刷新了公司历史上的最高盈利纪录。
这份远超预期的盈利报告震撼了日本股市。铠侠（Kioxia）在东京证券交易所上市的股票价格在短短一年内飙升数十倍，最终创下日本股市市值第一的惊人纪录（盘中一度突破44万亿日元），超越了曾经的日本制造业霸主和象征——丰田汽车公司。凭借着在资本市场积累的雄厚实力和信任，铠侠并未止步于此，而是积极拓展全球市场，甚至宣布计划在美国纽约证券交易所上市（ADS），以吸引全球投资者。
可行性分析：技术优势与投资缺口
专家分析了铠侠重夺第一宝座的可能性，并表示：“虽然技术准备已经完成，但他们能否克服可持续投资规模上的差距，将决定他们的成败。”
铠侠最大的武器是其超越后起之秀的下一代技术实力。铠侠携手战略合作伙伴——美国西部数据（WD），率先发布了业界首款第十代332层3D NAND闪存（BiCS FLASH）技术预览。这项技术飞跃令目前仍在200层至300层初期竞争的三大存储器巨头——三星电子、SK海力士和美光——感到震惊。
全球市场研究公司Omdia和IwaiCosmo Securities评估认为，“铠侠的下一代NAND闪存运用其专有的‘晶圆键合’技术，最大限度地提高了数据处理速度和能效。”并补充道，“铠侠的NAND闪存完美满足了美国大型科技公司（超大规模数据中心）对数据处理速度的迫切需求，其产品性能领先竞争对手2至4年。” 计算表明，如果铠侠抢占超高层NAND闪存市场先机，便可迅速扭转市场份额。
绊脚石和局限性
然而，对市场的冷静评估仍然留下疑问。对于半导体行业而言，建立大规模生产线（设施投资）与技术研发同等重要，而这每年需要投入数万亿至数十万亿韩元。正是在这一点上，与韩国企业的差距显得尤为显著。
三星电子每年仅在其半导体部门就投入约40万亿至50万亿韩元用于设施建设，而SK海力士每年也向HBM及其清州和龙仁集群注资10万亿至20万亿韩元。相比之下，尽管铠侠近期市值飙升，但就实际年度投资规模和现金流生成能力而言，它远不及三星和SK。
就连包括《日经新闻》在内的日本地方媒体也指出：“如果日本担忧韩国的独霸市场，却未能持续加大设备投入以缩小差距，那么铠侠重夺榜首的宣言最终只会沦为一句空洞的口号。” 由于NAND闪存的生产结构是低品种、高产量，且价格波动性远超DRAM，观察表明，如果拥有规模经济优势的三星电子发起单价战（一场胆量博弈），铠侠将难以生存。
美日半导体联盟的无形之手
铠侠短期内超越三星电子成为全球NAND闪存第一的可能性不大。市场份额差距（超过15个百分点）相当显著，而且几乎不可能一下子扭转大规模生产带来的成本优势。
然而，业界真正担忧的并非技术或资金，而是地缘政治动态。随着美国全力压制中国在半导体领域的崛起，它选择了日本作为替代，美日半导体联盟也因此变得愈发公开。美国政府随时可能以维护国内数据中心供应链安全为由，降低对韩国存储器的依赖，并强制提高日本铠侠（Kioxia）或美国美光（Micron）产品的采用率。事实上，日本媒体经常援引上世纪80年代美日半导体协议导致日本衰落的案例，提出这种设想：“这一次，美国可能会要求将生产基地转移到日本铠侠，或者支持铠侠以遏制韩国。”
一位国内半导体行业官员表示：“虽然韩国在DRAM领域与HBM保持着巨大的差距，但在NAND市场，多功能性和大规模供应是核心，因此不应轻视铠侠的复兴和技术挑战。”他还建议：“三星电子和SK海力士只有尽早稳定超高层（300层以上）闪存的量产良率，并捍卫其成本效益优势，才能在高附加值eSSD市场保持技术领先地位，从而摆脱铠侠的追击。”
（来源：编译自businesskorea ）
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