国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种晶圆表面的处理方法及半导体衬底”的专利，公开号CN122396204A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆表面的处理方法及半导体衬底。该晶圆表面的处理方法通过提供一经离子注入且键合剥离后的初始晶圆；所述初始晶圆的中部设有经剥离薄膜后形成的槽结构；对所述初始晶圆进行退火处理；对退火后的所述初始晶圆依次进行清洗和抛光。从而可以利用退火处理加速台阶缺陷聚集自动脱落，并利用之后清洗进一步去除一台阶的残留区域，经抛光处理实现晶圆表面的平坦化，提高了不平整晶圆的利用率。

天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本44680万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目146次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息106条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员