来源：新浪证券-红岸工作室

江苏艾森半导体材料股份有限公司（以下简称“江苏艾森”）近期密集接待机构调研，吸引了包括国寿安保、中欧基金、建信基金等在内的29家机构参与。公司管理层就上半年经营情况、光刻胶产品技术差异及布局、电镀铜在不同领域的应用特点等核心问题与机构进行了深入交流。

调研基本情况

投资者关系活动类别

特定对象调研、路演活动、现场参观、电话会议、其他

时间

2026年6月30日-7月14日

地点

公司、上海、券商策略会、线上

参与单位名称

国寿安保、中欧基金、建信基金、国联基金、汇添富、申万菱信、华安基金、浦银安盛、万家基金、信达澳亚、东北证券、招商证券、华创证券、睿郡资产、银华基金、天风证券、圆信永丰、西安国新诚投、中海基金、泉果基金、明汯投资、鹏华基金、东吴证券、广发基金、南方基金、华夏基金、西部利得、嘉实基金、中泰证券

上市公司接待人员姓名

董事长：张兵；总经理：向文胜；常务副总经理、董事会秘书：陈小华；合规总监：李璊媛；证券事务代表：徐雯

核心问题解读

上半年经营态势良好

针对机构提出的“今年上半年经营情况”问题，公司表示，2026年上半年整体经营情况保持良好态势，国际国内各项业务均有序推进。

光刻胶：先进封装与晶圆制造技术路径差异显著，公司多领域布局

在光刻胶产品技术差异及布局方面，公司指出，光刻胶作为芯片制造必不可少的图形转移材料，在晶圆制造与先进封装领域的应用逻辑与技术难点存在显著差异。

晶圆制造光刻胶主要针对芯片前道制程，核心作用是在硅片上刻出微米、亚微米级到纳米级的互联电路和晶体管电路，追求高分辨率与低缺陷，以薄膜体系为主，同时要求金属离子杂质控制在ppb级，具备高灵敏度、高刻蚀抗性。其国产化难点在于需完成全链条原材料自主可控，包括I-line、KrF、ArF、EUV级光刻胶的功能单体、树脂、感光剂等，对金属杂质的控制要求均需达到ppb级别。

先进封装光刻胶则针对芯片后道制程，核心作用是做出1微米至几百微米厚膜图形，通过电镀、去胶、刻蚀等工艺制作RDL重布线、铜柱凸点、TSV硅通孔等物理结构，技术设计围绕“厚膜成型、工艺兼容”展开，是HBM、Chiplet等先进封装技术落地的核心材料基础。其国产化难点主要体现在两方面：一是在高厚膜、高粘度体系下平衡感光度、附着力、抗电镀性、去胶特性、无气泡等多个互相矛盾的性能参数，对性能稳定性要求极高；二是需应对国内封装工艺的快速发展，正向开发符合客户需求的产品。

公司表示，目前聚焦光刻胶产品的竞争力构建：在先进封装领域，核心任务是推动产品在2.5D/3D先进封装中的规模化应用，提升国产光刻胶市场份额；在晶圆制造方面，面向存储、逻辑、功率器件等不同应用场景的光刻胶产品已逐步进入研发或验证阶段。

电镀铜：核心原理相通，应用场景各有侧重

关于电镀铜在封装、晶圆及IC载板领域的异同，公司介绍，三者的核心原理一致，均采用电化学沉积技术，以硫酸铜体系为基础电解液，配合抑制剂、加速剂、整平剂三类核心有机添加剂。

不同之处主要体现在应用场景与技术要求上：晶圆制造领域：电镀铜属于BEOL互连工艺的重要组成部分，是大马士革铜互连工艺的核心步骤，主要用于填充芯片内部纳米级的金属互连沟槽与通孔。特征尺寸最小（约10–100nm），适配先进制程节点，对超填充要求最高，更关注线阻、电迁移和CMP后的表面平坦度，下游客户为前道晶圆制造厂商。先进封装领域：电镀铜是2.5D/3D堆叠封装的核心金属化工艺，用于填充TSV硅通孔、制备RDL重布线层、铜柱凸点与Hybrid Bonding铜互连等，适配1μm-10μm的微米级结构，深宽比最高可达20:1，核心要求是实现高深宽比深孔的无空洞快速填充，实现芯片与芯片之间的垂直互连，下游客户以封测厂商、晶圆厂商先进封装产线为主。IC载板领域：电镀铜主要采用SAP/mSAP工艺，用于填充有机基板的盲孔和X-Via填充、制备2μm-50μm的高密度线路，作为芯片与外部PCB板之间的电气连接桥梁，核心管控重点是保障整板镀层均匀性，要求镀层可耐受高温多次热冲击不断孔，下游客户为专业IC载板制造厂商。

公司强调，本次调研未涉及应当披露的重大信息。

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