记忆体市场正在经历一场汹涌的超级周期，韩国的SK海力士（SK Hynix）刚刚通过美国存托凭证（ADR）在纳斯达克亮相，让这家高带宽存储器（HBM）霸主正式进入更多美国投资者的视野。面对未来数年供应持续紧绷的判断，此刻或许正是一个值得关注的窗口——问题在于，这种短缺究竟会持续多久，又会把行业带到何种高度？

在全球三大DRAM制造商中，SK海力士是最先叩开HBM大门的那一个。正因为起步早，业界普遍预计这家公司将掌控过半的HBM市场份额，而这类被直接封装在图形处理器（GPU）及其他人工智能芯片旁的存储器，正成为优化AI算力的关键拼图。与英伟达多年的合作，更让海力士牢牢卡在了AI基础设施最紧缺的环节上。

打开网易新闻 查看精彩图片

单看上季度的数字，就能体会到需求爆发带来的冲击：公司整体营收飙升了近200%，利润几乎翻倍至400%，毛利率则从去年同期的57%跳升到79%。虽然大约78%的收入仍然来自普通DRAM，剩余的进账主要靠闪存（NAND），但HBM带来的结构升级效应，已经清晰写在毛利的扩张里。普通的记忆体涨价和高端产品放量，正在同时发生。

首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）并不掩饰对供给端的担忧。按照他的判断，2027年将成为整个行业有史以来供应短缺最严重的一年，而且这种供给受限的状态很可能至少延续到2030年。这不像是一句随意的预测，因为公司的实际动作同样激进：未来五年内，海力士计划将晶圆产能翻倍，但由于HBM每颗芯片消耗的晶圆面积是普通DRAM的三倍以上，翻倍的产能并不意味着DRAM的总供应量会等比例增加。

供应端的瓶颈远不止晶圆厂产能。眼下，阿斯麦（ASML）的极紫外（EUV）光刻机已经跟不上整个产业的扩产节奏，尤其面对人工智能基础设施的巨额投入，设备供给的缺口反而成了制约记忆体供应的最上游阀门。海力士正踩在这条供需失衡的绳索上，一方面要大幅抬高资本支出以扩充产能，另一方面又享受着供应紧缺带来的持续高价。

为了支持这场扩张，海力士刚通过赴美上市一口气筹集了265亿美元，以每股149美元的价格发行了1.779亿份存托凭证，并且目前的自由现金流相当强劲。在一个没有降温迹象的超级周期里，手握技术先发优势和最紧俏产品线的公司，正在把短缺从威胁变成护城河。