7月21日，三星电子在NAND闪存领域与英伟达的合作进一步深入。在此之前，双方已在DRAM、高带宽内存（HBM）以及晶圆代工业务上有长期合作，此次将供应关系拓展到NAND闪存，意味着存储芯片与英伟达的绑定更加紧密。
据报道，三星已启动第十代V-NAND（V10）的量产，并直接向英伟达供货。与此同时，第九代V-NAND（V9）的产能正在扩大，而更前沿的第十一代500层级V-NAND（V11）也已进入开发阶段，显示出三星在闪存迭代上的清晰节奏。
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从产能分配来看，三星目前的V-NAND月产能超过10万片，其中约60%的产能被分配给V9产品，表明第九代是当下出货主力。V10则作为最新一代产品，率先供给英伟达这类关键客户，承担着巩固高端市场卡位的任务。随着V11的开发推进，三星在NAND闪存领域的代际覆盖将更为完整，而英伟达持续扩大的芯片需求，也正成为三星存储业务升级的一个直接推力。
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