国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司取得一项名为“MOSFET晶体管”的专利，授权公告号CN224556137U，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本公开涉及MOSFET晶体管。一种MOSFET晶体管，包括具有内部沟槽和一对边缘沟槽的半导体主体，内部沟槽具有与第一方向平行的细长形状并且相继布置，边缘沟槽具有与第二方向平行的细长形状。每个内部沟槽的端部与对应的边缘沟槽连通。每个边缘沟槽包括对应的电介质沟槽区域。每个内部沟槽包括在内部沟槽内部延伸并且具有与第一方向平行的细长形状的导电屏蔽区域。一对导电栅极区域在导电屏蔽区域的相对侧延伸到内部沟槽中并且具有与第一方向平行的细长形状。每个导电屏蔽区域的端部穿入对应的边缘沟槽的内部。在每个边缘沟槽中，相邻导电屏蔽区域的端部彼此分开。

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作者：情报员