内存芯片也用上2nm工艺了？三星的答案是肯定的。7月27日，在三星半导体发布的人物访谈中，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠首次明确，公司计划在下一代HBM5内存中导入2nm基础裸片。这与今年3月存储器业务开发副总裁황상준的先前表态一脉相承，显示出三星向先进制程要逻辑性能的决心。

根据规划，HBM5的运行速率将比HBM4E至少提升50%，基础裸片会集成更高密度的硅通孔(TSV)，以承载更高速的片间互联。三星强调，选用2nm工艺绝非只为追逐数字，而是着眼于性能与能效的双重跃升。基础裸片作为HBM堆栈的逻辑控制与数据调度中枢，更先进的制程意味着更高的晶体管密度和更低功耗，这对提升整体内存带宽和散热表现至关重要。

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当前，三星HBM4和HBM4E仍采用4nm基础裸片，不过两者内部设计并不相同。三星利用4nm节点的灵活性，在HBM4E基础裸片中引入了高密度、超高性能器件，成功实现14Gbps以上的传输速率。同时，通过更有效地排列金属层，进一步降低了功耗并优化了散热路径，为后续工艺进化铺路。

从4nm到2nm的跨度，凸显出三星在HBM赛道上的激进策略。随着高性能计算和AI训练对内存带宽的渴求不断推高，直接在基础裸片上跃迁至最前沿节点，有望让HBM5在同等功耗下挤出更多吞吐量，巩固三星在先进内存市场的竞争身位。