国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司取得一项名为“具有复合缓冲层的氮化物半导体器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN115985959B,申请日期为2022年12月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司取得一项名为“具有复合缓冲层的氮化物半导体器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN115985959B,申请日期为2022年12月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
00:12
热门跟贴