在算力需求爆发的推动下，DDR5 MRDIMM（多路复用双列直插式内存模块）正加速普及，各大内存厂商纷纷加快产品路线图。
DDR5 RDIMM 内存模块
第二代 MRDIMM 已突破 12,000 MT/s，内存厂商正备战第三代 16,000+ MT/s
服务器和数据中心市场正迅速向 MRDIMM 标准迁移，该标准相比传统 RDIMM 提供大幅提升的带宽能力。第一代 MRDIMM 已经推向市场，速率超过 8,000 MT/s。
英特尔将在其 Xeon 6 平台上率先支持 8,800 MT/s MRDIMM，而 AMD 则推进至最高 12,800 MT/s 的 MRDIMM 支持。这些第二代 MRDIMM 内存已经全面量产，像 Innodisk 这样的厂商已列出基于 MRCD 和 MDB 技术实现的 12,800 MT/s 产品，在保持紧凑设计和 DDR5 插槽兼容性的同时，比 DDR5-8000 RDIMM 提供 60% 的带宽提升。
美光（Micron）也发布了自己的第二代 MRDIMM 方案，速率高达 14,400 MT/s，比 DDR5-8000 RDIMM 提升 80%。该内存采用 CL58 时序，工作电压 1.1V，使用 24Gb 芯片实现 96GB 容量，并提供其他容量和更高密度配置。
与此同时，瑞萨电子（Renesas）已发布第三代 MRDIMM 芯片组方案，将 DDR5 MRDIMM 性能提升至 16,000 MT/s，比第二代 MRDIMM 带宽再提升 25%。瑞萨表示，第三代 MRDIMM 方案不仅追求极致性能，还具备更优的系统级功耗效率。
瑞萨电子是先进半导体解决方案的领先供应商，其发布的第三代 DDR5 多路复用双列直插式内存模块芯片组方案，可实现高达 16,000 MT/s 的服务器级 DDR5 MRDIMM 速率。该方案专为满足 AI 数据中心、云基础设施和加速计算负载对更高内存带宽的日益增长的需求而设计。
瑞萨电子第三代 MRDIMM 芯片组展示
瑞萨 MRDIMM 技术架构
AMD 将成为第三代 MRDIMM 关键客户
在合作伙伴名单中，AMD 将是第三代 MRDIMM 的关键客户。AMD 已规划其 Zen 6 Venice 和 Verano 产品线支持 DDR5-12800 MRDIMM，因此预计未来的 Florence “Zen 7” 系列将大规模采用这些第三代模块。
AMD 计算与企业 AI 平台解决方案工程副总裁 Amit Goel 表示：“AMD 长期以来一直支持开放、基于标准的技术，推动数据中心创新，并在 AI 和 HPC 工作负载持续演进的过程中提供更大的灵活性。MRDIMM 等下一代内存形态和瑞萨芯片组的创新，对于帮助行业实现更高带宽、更高效率和持续平台可扩展性至关重要。”
瑞萨已宣布其 MRDIMM 第三代 MRCD（RRG5013x）和 MDB（RRG5103x）正在向特定客户提供样品，预计 2027 年下半年实现量产。
MRDIMM：在 DDR5 时代实现 DDR6 级带宽
MRDIMM 将在未来的 AI 和 HPC 领域扮演关键角色。它在保持 DDR5 标准的同时提供更高的性能、带宽和效率，让现有平台和部署无需迁移到未来的 DDR6 标准就能获得性能跃升——实际上在 DDR5 时代就实现了 DDR6 级别的带宽。
从第一代 8,000+ MT/s，到第二代 12,000–14,400 MT/s，再到第三代 16,000 MT/s，MRDIMM 的终极目标是 17,600 MT/s。随着内存厂商加速推进，这个目标正在变得触手可及。
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