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铠侠正式发布了旗下首款PCIe 6.0 SSD CM10系列,同时也是铠侠第十代闪存BiCS 10首次商用落地,面向企业级市场,容量最高达61.44TB。

铠侠CM10系列支持PCIe 6.0 x4、NVMe 2.1标准规范,并兼容OCP 2.7数据中心NVMe SSD规范,包括支持NVMe FDP(灵活数据放置)技术,甚至支持冷板直触液冷技术。

铠侠BiCS 10闪存最多堆叠到了332层,CM10系列使用的是TLC颗粒。

具体性能指标没公布,只是说比上代CM9系列顺序读取提升约92%,随机读写提升约85%,那么算下来分别大约为28.4GB/s、6300K IOPS。

安全技术支持SIE、SED、SED FIPS 140-3(规划中)、CNSA 2.0 PQC(后量子加密)、SPDM 1.4 Attestation(设备远程证明)。

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CM10系列按照使用场景不同,分为多个子系列,接口、容量、性能各有差异。

其中,面向读取敏感型场景的CM10-R E1.S接口版本,容量3.84TB、7.68TB、15.36TB,每天1次全盘读写,其中5nm厚度的支持风冷/液冷、15mm的仅支持风冷。

CM10-R E3.S接口版本,容量3.84TB、7.68TB、15.36TB、30.72TB、61.44TB(唯一最大),每天1次全盘读写,支持风冷/液冷。

CM10-R 2.5寸版本,容量1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB、30.72TB,每天1次全盘读写。

面向混合读写场景的CM10-V E3.S接口版本,容量3.2TB、6.4TB、12.8TB、25.6TB、51.2TB,每天3次全盘读写,支持风冷/液冷。

CM10-V 2.5寸版本,容量1.6TB、3.2TB、6.4TB、12.8TB、25.6TB,每天3次全盘读写。

不过注意,两个2.5寸版本的接口都是PCIe 5.0,闪存都是第八代BiCS 8。

铠侠表示,CM10系列已经送样给特定客户,将在8月4-6日的美国加州FMS闪存峰会上首次亮相。

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铠侠闪存正在双轴发展,同步推进第九代BiCS 9、第十代BiCS 10,都引入了CBA技术,将闪存单元、控制电路分别放在不同晶圆上,然后双晶圆键合组成整体。——长江存储的Xtacing晶栈架构就是这么做的。

BiCS 9复用现有的闪存单元,还是218层,控制电路则升级最新的CMOS工艺,I/O速度更高,提升性能,从而以较低成本实现更高性能。

BiCS 10则是全方位升级332层,堆叠,存储密度大幅增加59%,I/O速度进一步提升33%而达到4800MHz,读写吞吐量分别提升超过10%、15%,读写数据传输的能效也提升超过15%。

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就在不久前,

它采用三星最新第九代V-NAND闪存,4nm工艺制造,容量4TB、8TB、16TB,顺序读取最高28.4GB/s,顺序写入最高21.9GB/s,比有PCIe 5.0 PM1753足足翻了一倍。

三星宣称,只需1.4秒钟,它就能加载40GB体积的大模型。

它同样支持直触液冷散热,也支持后量子加密算法,以及TEE TDISP(设备接口安全协议),可以在虚拟环境中保护数据安全。

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