国家知识产权局信息显示，长飞光纤光缆股份有限公司申请一项名为“一种多孔TaC构件及其制备方法和应用”的专利，公开号CN122482815A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请属于超高温晶体生长技术领域，更具体地，涉及一种多孔TaC构件及其制备方法和应用。本发明以TaC粉末、其他无机含钽粉末和含碳气体为原料制备多孔TaC构件，原始TaC粉末充当骨架材料不参与反应，而含碳气体与其他无机含钽粉末发生反应生成的TaC充当连接剂，将原始TaC粉末连接为多孔材料，冷却后得到多孔TaC构件。通过控制原料配比和烧结工艺参数，调控多孔TaC构件的孔隙率和孔径分布，使其既能有效阻挡石墨颗粒，又不影响气相输运效率。制备的多孔TaC实现近净成形，无需二次加工。本发明提出的多孔TaC构件应用于SiC晶体生长，晶体缺陷显著减少。

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作者：情报员