国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“低工作电流密度绿光LED外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN122497163A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件领域，公开了一种低工作电流密度绿光LED外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱发光层、P型GaN层；其中，所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一蓝光多量子阱层、第一青光多量子阱层、绿光多量子阱层、第二青光多量子阱层及第二蓝光多量子阱层。其中，所述多量子阱发光层包括应力释放孔及与其对应的填充层，且各层InGaN阱层的In组分做了梯度设计，实现电子和空穴空间匹配；采用本发明，具有提升低工作电流密度下高光效Micro LED器件效率的优点。

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作者：情报员