国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种用于光通信领域的Micro LED外延结构”的专利，公开号CN122514099A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于光通信领域的Micro LED外延结构，包括衬底，在衬底上依次生长缓冲层、n型GaN层、AlYN/AlN超晶格层、应力释放层、MQW发光层、EBL层、高温PGaN层和PGaN层接触层；所述EBL层为GaN/（AlN或AlGaN）交替生长的周期性超晶格结构。本发明从nGaN层、有源层、EBL层三个方面协同优化，实现超低功耗和高速响应能力。一是nGaN层之上生长AlYN/AlN超晶格层，在不使用高难度的掺杂技术下，通过极化效应自发形成高浓度、高迁移率的二维电子气；二是有源区采用超薄量子阱搭配通TMIn段的TMIn设计成尖底或平底的生长方式，削弱量子限制斯塔克效应，实现高速直接调制；三是设计超薄EBL层，且采用GaN/（AlN或AlGaN）交替生长的周期性超晶格结构，增强极化强度，形成高浓度、高迁移率的二维空穴气。

天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息270条，此外企业还拥有行政许可44个。

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作者：情报员