在半导体产业芯片制造始终是最为重要的环节。然而,在每一枚先进芯片的背后,都离不开一类看似不起眼却至关重要的材料——超高纯金属溅射靶材。简单来说,芯片制造过程中,需要通过“溅射”工艺——在真空环境下用高速离子轰击靶材表面,沉积在硅片上形成纳米级的金属薄膜。这些薄膜最终被加工成芯片内部数以亿计的金属导线,承担着信息传输的核心功能。靶材的纯度和工艺精度,直接决定了芯片的性能和良率。

在这一领域国产半导体厂商——江丰电子,正以前所未有的速度改写全球竞争格局。

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一、实现真正的打破垄断

曾几何时,超高纯金属溅射靶材的核心技术被美国和日本少数几家企业牢牢掌控,一度成为中国半导体产业链上最痛的“卡脖子”环节。有国外专家曾扬言:中国人不可能生产出属于自己的超高纯度溅射靶材。

2005年,38岁的姚力军辞去日本霍尼韦尔公司大中华区总裁一职,带着几位博士同学回到国内,在浙江宁波余姚创办了江丰电子。创业之路布满荆棘——2008年金融危机期间,公司月销售额一度跌至仅8万元,却要承担数百万元的运营成本,姚力军本人债台高筑。但他咬牙挺了过来。

二十年后的今天,江丰电子交出了一份震撼全球的成绩单。 根据日本富士经济发布的报告,2024年江丰电子靶材出货量位居全球第一,出货金额位居全球第二。与日矿金属、霍尼韦尔三家企业合计占据全球市场80%以上的份额,形成典型的三巨头格局。在高端靶材领域,公司全球市占率已超过25%。在国内市场,江丰电子的市占率更是高达60%以上,几乎覆盖了国内所有主流芯片制造企业。

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2025年,江丰电子全年实现营业总收入46.04亿元,同比增长27.72%;归母净利润5亿元,同比增长24.70%。其中,核心的超高纯金属溅射靶材业务收入达到28.50亿元,同比增长22.13%,销量达15.55万枚/套/公斤,毛利率高达34.24%2026年第一季度,公司延续强劲增长态势,营收13.06亿元,同比增长30.49%;归母净利润2.10亿元,同比增长33.42%。

二、覆盖3nm工艺、存储芯片与全系列突破

如果说出货量是产能上的胜利,那么技术节点的突破则是实实在在的飞跃。

江丰电子已实现超高纯铝、钛、钽、铜、锰、钴等全系列先端靶材的产业化产品全面进入3nm先端技术节点。2026年7月,公司在投资者互动平台透露:3nm靶材已实现批量供货,产能满载,订单排至2027年。这意味着,全球最顶尖的3nm芯片制造中,已经有中国企业提供的核心材料在发挥作用。

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在存储芯片领域,江丰电子生产的先端存储芯片用高纯300mm硅靶已实现稳定批量供货;超高纯钨靶、铜锰合金靶等高端品类已应用于先进存储芯片制造。值得注意的是,目前全球仅有江丰电子及头部跨国企业掌握了生产上述产品的核心技术。此外,公司300mm铜锰合金靶产量大幅攀升,高致密300mm钨靶实现稳定批量供货,在多个先进靶材产品领域是国内唯一掌握相关核心技术的企业。

江丰电子已成为台积电、中芯国际、SK海力士、联华电子等全球知名芯片制造企业的核心供应商。

三、从提纯到成品,实现全产业链自主

靶材的核心壁垒不仅在于制造工艺,更在于上游的超高纯金属原材料提纯。过去,中国不仅靶材依赖进口,连高纯金属原材料同样受制于人。

江丰电子花了二十年时间,逐步打通了从超高纯金属提纯、靶坯制备到成品靶材的完整产业链。如今,公司靶材产品所使用的原材料已实现全流程自主生产与提纯,完全摆脱对进口材料的依赖。这意味着从矿石到成品,整条供应链都掌握在自己手中,彻底解决了被“卡脖子”的后顾之忧。

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与此同时,江丰电子还在积极打造半导体精密零部件作为第二增长曲线。2025年,零部件业务实现收入10.84亿元,同比增长22.24%,可量产4万多种零部件,覆盖PVD、CVD、刻蚀、离子注入、光刻等半导体核心工艺环节。公司还从韩国KSTE引进静电吸盘生产技术,填补了国内半导体关键零部件的短板。

四、三年营收将翻倍

据弗若斯特沙利文报告预测,到2027年全球半导体溅射靶材市场规模将达到人民币251.10亿元。而2025年全球半导体制造用超高纯金属溅射靶材市场规模约为14.24亿美元,预计2032年达到22.9亿美元。在AI算力井喷、5G普及、新能源汽车等下游需求的持续推动下,市场空间仍在快速扩大。

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机构预计江丰电子2026至2028年营收将分别达到60.14亿元、76.48亿元、95.68亿元,归母净利润分别达9.00亿元、11.73亿元、15.32亿元。随着铜靶、钽靶、铜锰合金靶等高端产品持续放量,江丰电子在高附加值产品结构中的占比有望进一步提升,推动出货金额向全球首位迈进。

因此,从2005年一块靶材都造不出来,到2024年出货量全球第一;从3nm靶材批量供货到订单排满2027年——江丰电子的二十年,正是中国半导体产业从无到有、从追赶到领跑的缩影。