据投融湾获悉，近日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称：镓仁半导体）成功完成新一轮融资。本轮融资的投资方为远致创投、中车时代高新投资、境界投资、方广资本、毅岭资本、动力谷创投。
镓仁半导体创立于2022年9月，公司总部位于浙江省杭州市萧山区。镓仁半导体的核心定位是国内氧化镓（Ga₂O₃）超宽禁带半导体上游核心材料企业，专注氧化镓单晶衬底、定制籽晶、同质外延片的研发、生产与销售，打造从长晶设备、晶体生长、晶圆加工到外延片制备的全链条自主可控能力，解决氧化镓衬底成本高、大尺寸制备难、贵金属依赖严重的行业痛点。
创始人张辉，国家自然科学基金优秀青年基金获得者
镓仁半导体的创始人是张辉，浙江大学本科，2005年取得浙江大学材料学博士学位，曾在美国圣路易斯华盛顿大学担任访问学者。浙江大学材料科学与工程学院、浙江大学杭州国际科创中心双聘教授。长期从事半导体晶体生长、宽禁带半导体材料研究。2022年，创立镓仁半导体，主持铸造法氧化镓单晶全套技术开发，主导公司技术路线、产线建设、融资与商业化落地，完成从实验室技术向量产产品的转化。
三大类核心产品
镓仁半导体的产品矩阵主要分为氧化镓单晶衬底、定制籽晶、氧化镓同质外延片三大类。其中，多尺寸氧化镓单晶抛光衬底包含2英寸、4英寸、6英寸、8英寸氧化镓抛光片，具备不同晶向选择。8英寸氧化镓衬底可以兼容现有硅半导体8英寸产线设备，降低产业化门槛。
定制化氧化镓籽晶指的是面向科研机构、研发单位，提供不同规格、晶向的氧化镓籽晶产品。氧化镓同质外延片指的是公司建成兼容6英寸、8英寸的氧化镓同质外延产线，解决孪晶缺陷抑制难题。
自研核心技术
镓仁半导体的核心技术主要围绕自研铸造法氧化镓单晶生长路线构建，覆盖装备、热场、长晶、晶圆加工、同质外延全链条。其中，铸造法氧化镓单晶生长核心技术为公司最核心原创技术，大幅降低贵金属铱坩埚消耗，实现4英寸、6英寸直至全球首片8英寸氧化镓单晶制备，解决大尺寸氧化镓晶体生长的核心难题。长晶热场设计与设备自研技术是自主开发氧化镓专用长晶装备，解决氧化镓晶体生长过程应力、开裂、缺陷等问题。
大尺寸氧化镓晶圆精密加工技术包含切片、研磨、抛光、清洗整套工艺，实现原子级平整表面。氧化镓同质外延与缺陷抑制技术攻克氧化镓同质外延孪晶缺陷难题，开发适配铸造法衬底的 MOCVD外延工艺。半绝缘氧化镓衬底制备调控技术通过杂质调控实现氧化镓衬底半绝缘特性，满足光导开关、脉冲功率器件特殊需求。晶体缺陷检测与质量管控体系指的是建立氧化镓晶体全流程检测体系，对晶体内部缺陷、晶向、电阻率、表面质量进行系统化管控。
快速扩张的市场空间
目前，氧化镓整体产业尚处于产业化早期，全球市场规模现阶段体量有限。据预测，未来十年氧化镓产业链年复合增长率将超过50%，中长期随着器件成熟，市场空间将快速扩张。另外，当前全球氧化镓衬底供给以日本企业导模法产品为主，国产衬底存在明确的替代空间。
作为国内氧化镓第四代半导体赛道的代表性上游材料硬科技企业，未来，镓仁半导体有望在全球氧化镓上游材料赛道占据重要位置。
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