国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“FDSOI ESD保护结构”的专利，公开号CN122555229A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种FDSOI ESD保护结构，在栅极结构两侧的源漏抬升外延层至少包括第一和第二区域段。第一区域段的第一侧面和栅极结构的侧面接触，第二区域段的第一侧面和第一区域段的第二侧面接触，第二区域段的厚度更低，金属硅化物形成在第一区域段的顶部表面以及未形成在第二区域段的顶部表面。通过第一区域段的厚度抵抗第零层层间膜的工艺波动以及通过金属硅化物来抑制源漏抬升外延层的缺失缺陷。通过第二区域段来增加源漏抬升外延层的电阻，以补偿第一区域段对源漏抬升外延层的电阻降低的影响；同时第二区域段的较低厚度还用于以消除第零层层间膜的CMP的影响。本发明能在保证源漏抬升外延层具有较高电阻的同时防止产生源漏抬升外延层的缺失。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2102次，专利信息2878条，此外企业还拥有行政许可550个。

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作者：情报员