据ZDNET Korea报道，三星电子计划在1nm级工艺制程节点实现High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）设备的商业化应用。这意味着，未来两代先进工艺都不会采用这一备受关注的光刻技术。

三星电子晶圆代工工艺开发团队负责人朴昌民近日表示，对于2nm级SF2和1.4nm级SF1.4这两个近期节点而言，High NA EUV光刻图案化技术仍不算成熟，尚不具备量产应用条件。而更高的图案化分辨率将在1nm级成为刚需，因此三星晶圆代工正以此为目标，与合作伙伴联合研发相关技术。

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High NA EUV被视为继传统EUV之后的下一个光刻技术里程碑，能够提供更高的分辨率，有助于芯片制造商在更小的制程节点上实现更精细的电路图案。不过，由于技术成熟度和设备成本等因素，其商业化进程一直备受关注。

从时间线来看，三星晶圆代工此前已将2029年设定为SF1.4的量产时点，并计划在2030年推出改进型SF1.4+。因此，其搭载High NA EUV技术的1nm节点最早也要到2030年才会推出。