国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有场释放层的半导体装置及其集成制造方法”的专利，公开号CN122579660A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开描述了具有场释放层的半导体装置及其集成制造方法。例如，一种制造半导体装置(100)的方法包含在半导体层(108)的第一表面(107)上形成第一场释放层(122)，其中所述第一场释放层(122)是由第一氧化物层(218)形成的阶梯状氧化物场释放层，并且所述第一氧化物层(218)经由硅局部氧化LOCOS工艺形成。所述方法还包含形成第一漏极区(144)、第一源极区(142)和第一栅极堆叠(133、134)，其中所述第一漏极区(144)靠近所述第一场释放层(122)的第一末端，所述第一源极区(142)靠近所述第一场释放层(122)的第二末端，并且所述第一栅极堆叠(133、134)位于所述第一漏极区(144)与所述第一源极区(142)之间且部分地位于所述第一场释放层(122)上方。

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作者：情报员