国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种氧化镓同质外延厚膜及其制备方法”的专利，公开号CN122564751A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供了一种氧化镓同质外延厚膜及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明对衬底进行热氧化，得到热氧化衬底，在所述热氧化衬底上进行外延生长，得到缓冲层，在所述缓冲层上进行第一氢化物气相外延，得到低速生长层，在所述低速生长层上进行第二氢化物气相外延，得到高速生长层，对所述高速生长层依次进行表面缺陷还原和热氧修复，得到所述氧化镓同质外延厚膜，所述氧化镓同质外延厚膜的厚度＞20 μm。本发明提供的氧化镓同质外延厚膜的制备方法能够实现氧化镓20 μm以上的厚膜生长，同时结合第一氢化物气相外延生长和第二氢化物气相外延生长构成台阶流生长进而减少其表面缺陷的产生。

天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本190.3645万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息69条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员