公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。
董事长警告称，2027年存储器需求将几乎是供应量的两倍；美国晶圆厂建设需要五年时间。
SK海力士已悄然耗时一个多月，在美国考察前端存储晶圆制造厂的潜在选址——这是全球领先的高带宽存储器供应商首次公开证实，该公司正在积极探索能否在美国本土建设真正意义上的芯片制造工厂，而不仅仅是组装工厂。与此同时，该公司董事长发出警告，称2027年将出现业内史上最严重的存储器供需失衡，由此产生的价格压力将波及数百万美国人每年购买的成品，他将这种现象称为“芯片通胀”。
SK海力士正在美国寻找前端开发工程师。以下是关键所在：
前端晶圆制造厂和后端封装厂之间的区别是这个故事中最重要的技术事实，也是在报道 SK 海力士在美国的业务时最常被忽略的事实。
SK海力士在美国的唯一一家工厂是位于印第安纳州西拉法叶普渡研究园的一座价值38.7亿美元的先进封装工厂，目前正在建设中。该项目获得了CHIPS法案分部高达4.58亿美元的直接拨款和5亿美元的贷款支持。工厂的奠基仪式定于8月27日在西拉法叶举行，SK集团董事长崔泰源和英伟达首席执行官黄仁勋预计都将出席。该工厂将采用业内所谓的“2.5D先进封装”技术——它将使用在韩国制造的高带宽内存芯片，通过键合工艺将其垂直堆叠，并将成品HBM模块交付给英伟达等人工智能加速器客户。该工厂不会生产任何存储单元。所有用于该工厂的晶圆仍将在韩国制造。
前端晶圆制造厂是芯片的真正诞生地。在这里，光刻工具将电路图案刻蚀到空白硅片上，掺杂剂被注入晶体管，数百道工序——每道工序都需要埃级精度——将一块由沙子制成的圆盘转化为人类历史上最复杂的制造品。具体到HBM，其制造工艺比标准DRAM生产工艺多出约20道工序：硅通孔（TSV）蚀刻、晶圆减薄和多芯片堆叠准备。这些额外的工序解释了为什么每片用于HBM的晶圆的比特数大约只有标准DDR5晶圆的三分之一——以及为什么每片用于AI GPU的晶圆都无法成为笔记本电脑或智能手机中的消费级内存。
在美国建设前端晶圆厂意味着要建设所有这些设施。在美国本土。按照美国的建设成本。遵守美国的监管时间表。而且，美国的公用设施基础设施在大多数地区还达不到半导体制造所需的规模。董事长崔泰元直言不讳地指出了其中的难处：美国的建设成本大约是韩国的两倍，监管环境也更加严苛。“我愿意这么做，”崔泰元告诉CNBC，“但找到合适的地方真的很难。”
据 Digitimes 8 月 14 日率先报道，SK 海力士正在积极考察选址，多家韩国媒体在报道 Chey 接受 CNBC 采访时也证实了这一消息。这标志着 SK 海力士在美国的战略布局较以往有了显著提升。此前，位于印第安纳州的包装厂是该公司在美国的全部生产基地，而且就其公开声明而言，也已达到其在美国发展目标的上限。尽管 SK 海力士尚未做出任何承诺，但此次积极考察候选厂址的举动改变了这一局面。
芯片通胀对下次购买科技产品意味着什么
在8 月 13 日发布的 CNBC 采访中，Chey 提出了一个术语，概括了为什么这个故事的影响范围超出了供应链专家：“芯片通胀”。
其运作机制如下：SK海力士、三星和美光三家公司合计生产全球超过90%的DRAM。到2026年，这三家公司将大量晶圆产能重新分配给HBM——人工智能加速器所需的专用堆叠式内存——因为HBM的利润率更高，而且其客户（英伟达、谷歌、微软、Meta）拥有强大的采购能力，可以通过多年合同确保获得HBM。这种产能重新分配同时产生两个影响：它推动了人工智能的蓬勃发展，同时也减少了可用于其他用途的传统内存资源。
“其他所有”类别涵盖范围很广。它包括智能手机中的LPDDR内存、笔记本电脑中的DDR5内存、汽车驾驶辅助系统中的内存，以及非超大规模企业服务器中的存储。所有这些产品的制造商都在争夺人工智能尚未占据的DRAM市场份额，并为此支付更高的价格。Gartner估计，到2026年底，DRAM和SSD的总价格可能比2025年底上涨130%。AMD警告投资者，由于组件成本上涨，2026年下半年游戏收入将下降超过20% 。
Chey对2027年的预测相比之下，目前的形势显得可控。他告诉CNBC，客户对2027年的内存需求量几乎是产能的两倍。主要客户要求SK海力士在2027年增加60%到100%的AI内存需求量。整体内存需求至少增长50%到60%。用他自己的话说，在2027年之前的任何时间点，都不会有任何公司大幅提高产量。
“明年将是内存供应短缺最严重的一年，”Chey说道，他用战时语言来形容目前的形势。他警告说，其后果不会仅限于数据中心。“这将推高整个社会的物价。这不是一件好事。”
苹果公司已经证实，其每个季度在内存采购上的成本都将大幅上涨，并且预计这种情况还会持续下去。如果这家全球现金流最充裕的科技公司都无法摆脱这种压力，那么对于那些没有如此雄厚财力的设备制造商来说，选择余地就非常有限了。规模较小的智能手机制造商、PC OEM厂商、家电生产商和汽车供应商都在争夺超大规模数据中心运营商留下的DRAM份额——而价格却是由一个看不到任何周期性调整迹象的市场决定的。
为什么在美国生产晶圆与建设封装厂是不同的问题
Chey提到的两倍建设成本差异并非空泛的经济担忧，而是过去四年来一直困扰着美国半导体制造商的具体且有据可查的现实。
一座先进的DRAM晶圆厂需要持续供应200至300兆瓦的电力——足以满足一座中等规模城市的用电需求。它需要每天处理数百万加仑水的超纯水系统。它需要特殊的化学品和工艺气体供应链——氢氟酸、三氟化氮、氨、特种光刻胶——其中大部分目前产自日本和韩国，美国国内尚无半导体级纯度的同等产品供应。此外，它还需要一支训练有素的工艺工程师队伍，而他们的专业知识集中在京畿道利川市和华城市，而非美国任何一个大都市区。此前，《TechTimes》的报道指出，一座先进的晶圆厂每天需要200至400兆瓦的稳定电力和数千万加仑的水。
台积电在亚利桑那州的经历凸显了问题的严重性。这家中国台湾晶圆代工厂虽然获得了66亿美元的《芯片制造和生产法案》（CHIPS Act）拨款，并且在美国的经验远胜于SK海力士，但其位于凤凰城的晶圆厂仍然面临着建设成本超支、劳动力短缺和工期屡次延误等问题。台积电不得不从台湾调派数百名工程师来弥补美国劳动力缺口。而对于此前在美国没有任何晶圆制造经验的SK海力士来说，挑战则始于更为根本的层面。
切伊的选址考察之所以意义重大，是因为他似乎认为，只要条件合适，这些挑战并非不可克服。他列举了这些条件：电力供应、水源、土地、供应链基础设施——以及由此引申出的，足以弥补成本劣势的《芯片植入与存储技术法案》（CHIPS Act）资金承诺。目前美国境内的任何地点都无法完全满足这些条件。但有些地点比其他地点更接近这些条件，因此考察工作已经持续了一个多月，而且美国以外的地点（《数字时代》的报道中提到了“其他地区”）也在考虑之列。
美国前端芯片制造厂实际需要什么？《芯片制造法案》尚未提供什么？
2022年8月签署的《芯片与科学法案》拨款527亿美元用于美国半导体制造和研发——这是一笔历史性的巨款，但也反映了一个根本性的选择：其中大部分最大笔拨款流向了逻辑芯片制造商。台积电获得了66亿美元，英特尔获得了高达85亿美元的拨款，三星位于德克萨斯州的工厂获得了64亿美元。
SK海力士位于印第安纳州的封装厂获得了4.58亿美元的直接拨款和5亿美元的贷款。这笔资金是迄今为止《芯片法案》对美国人脑血分子束（HBM）制造领域全部的投资——而且这笔资金用于组装韩国制造的芯片，而不是用于生产芯片。
据行业分析师估计，一座规模可观的前端DRAM/HBM晶圆厂造价将达150亿至200亿美元甚至更高。如果按照美国的建设成本水平（韩国的两倍）计算，这一数字还会更高。要使SK海力士的项目在经济上可行，CHIPS法案的拨款额度可能需要达到封装厂拨款额度的数倍。目前的CHIPS法案框架——其剩余资金已基本全部用于其他项目或已分配——显然没有足够的空间来承担如此高额的拨款，除非专门针对存储器制造领域进行立法扩展。
这就是Chey的条件性措辞——“如果关键条件得到满足”——所隐含的结构性差距。他列举的条件（电力、水、土地、供应链）是工程方面的先决条件。所有这些条件背后都隐含着一个经济条件：美国政府是否愿意提供足够规模的补贴，使实际建设成本与韩国的成本足够接近，从而使SK海力士董事会能够做出合理的早期投资承诺。
这既是一个政策问题，也是一个工程问题。目前还没有答案。
人工智能客户的需求是什么？供应数据又揭示了什么？
客户对SK海力士的压力已变得异常公开。2026年6月，英伟达CEO黄仁勋在参观SK海力士的台北电脑展展位时，在一片HBM4E晶圆上写下了“请多生产一些”。CNBC关于SK海力士的专题报道证实，这一举动被广泛解读为英伟达最重要的合作伙伴对供应短缺最公开的表达。随后，英伟达与SK集团达成了一项价值5000亿美元的协议，其中包括与SK Telecom合作，在2027年前建设新的AI数据中心——这项协议在确保供应的同时，也进一步刺激了市场需求。
SK海力士已与主要客户签署了10份长期供货协议。美国商务部长霍华德·卢特尼克多次呼吁三星电子和SK海力士扩大在美国本土的存储芯片生产规模，并公开表示，竞争对手将面临来自美光公司在国内投资的压力。卢特尼克在纽约举行的美光新厂落成典礼上的立场十分明确：美光承诺到2035年将在美国投资超过2500亿美元用于芯片制造，韩国企业最终“别无选择，只能效仿”。
这种压力背后的供应逻辑非常具体。TrendForce 预计，到 2027 年底，HBM 将消耗三大厂商DRAM 晶圆总投入量的约 30% ，高于 2026 年的 22%。然而，由于每片 HBM 晶圆的比特数约为标准 DRAM 晶圆的三分之一，因此 HBM 仅占总比特输出的约 13%。就内存比特数而言，用于 AI GPU 的每片晶圆的晶圆密集度是用于笔记本电脑内存的三倍——而客户对这种内存的需求却在不断增长。
到2027年，预计全球DRAM总产量的一半左右将通过多年长期协议预留给大批量买家。没有此类协议的客户只能获得60%到70%的订单。对于缺乏超大规模云服务商采购规模的AI初创公司、中型云服务提供商和企业IT团队而言，无论SK海力士在美国的市场拓展策略如何，这种分配格局都将持续到2028年。
印第安纳州设施：取得切实进展，但存在实际局限性
8月27日在西拉法叶举行的奠基仪式是一个真正的里程碑。它标志着美国首个先进HBM封装工厂的结构建设正式启动——该工厂预计将于2028年下半年投入量产，届时将组装下一代HBM4E和HBM5芯片堆，并直接交付给人工智能加速器客户，无需经过韩国的最终封装环节。
联邦政府的这项投资体现了该工厂对《芯片技术创新法案》（CHIPS Act）旨在增强美国半导体供应链韧性的目标的重要性。该法案提供的4.58亿美元拨款和5亿美元政府贷款将用于建设这家工厂，其建成缩短了韩国制造的HBM晶圆与美国人工智能硬件之间的地理距离。
这家工厂无法解决——正如TechTimes三年来对存储器短缺问题的报道所表明的那样——根本性的缺口是：美国国内没有HBM晶圆制造能力。印第安纳州的这家工厂扩大了供应链在美国的覆盖范围，但并没有改变其生产地。韩国到印第安纳州的封装路线取代了韩国到韩国的完整循环路线，但晶圆的起点仍然是利川或龙仁，而不是大西洋和太平洋沿岸之间的任何地方。
就在八天前，崔东赫的董事会承诺向两座新的韩国晶圆厂——龙仁Y2 DRAM工厂和清州M17 NAND工厂——投资54.3万亿韩元（按当前汇率约合383亿美元），这是总额380亿美元的韩国晶圆厂投资计划的一部分。这两座工厂都将建在韩国，主要生产人工智能数据中心所需的存储芯片。这项投资并不排除在美国建设前端晶圆厂的可能性，但它明确了SK海力士目前的资金方向。
价格会下降吗？何时下降？
SK海力士首席执行官郭鲁正告诉路透社，从供应角度来看，2027年将是“行业历史上最糟糕的一年”。SK海力士的供应预测与美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉的观点一致，后者曾表示，供应紧张的局面预计将持续到2027年以后。Counterpoint Research分析师尼尔·沙阿告诉CNBC，由于人工智能需求增长速度超过计划产能，内存价格在2028年底之前不太可能回落。
背景信息：据TrendForce预测，2026年第三季度DRAM合约价格环比上涨约15%至18%，延续了自2026年第一季度飙升90%至95%以来的上涨趋势。对于没有多年供货协议的买家（这涵盖了大多数美国人工智能初创公司、中型云服务提供商和企业IT团队），目前HBM优先供应给英伟达顶级客户、传统DRAM价格处于历史高位的局面，很可能会持续到2028年。
SK海力士位于龙仁的Y1工厂预计将于2027年2月开始接收洁净室设备，并于同年下半年投产。位于清州的M17工厂计划于2028年12月启用其首个洁净室。龙仁的Y2工厂预计将于2027年7月开工建设，并于2029年6月启用其首个洁净室。在上述日期之后，每个工厂都需要12至18个月的良率提升期，才能实现可观的量产。M17工厂的企业级NAND闪存预计在2030年中期之前无法实现可观的量产；Y2工厂的DRAM和HBM闪存则计划于2030年至2031年投产。
根据目前的证据来看，在美国建设前端晶圆厂能否在2027年至2030年芯片短缺窗口期内建成，可能性不大。即使SK海力士今天就承诺在美国建设前端晶圆厂，从筹建到投产也至少需要五年或更长时间——这意味着最早也要到2031年至2032年才能产出第一批真正意义上的晶圆。选址工作确实存在，客户的压力也确实存在，但晶圆厂建设的进度与市场对缓解短缺的需求并不一致。
（来源：编译自techtimes，谢谢）
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第4500内容，欢迎关注。
加星标⭐️第一时间看推送
求推荐
热门跟贴