据投融湾获悉，近日，杭州富加镓业科技有限公司（下文简称：富加镓业）成功完成新一轮过亿元融资。本轮融资由国家级资本及市场化机构衢州东峰、上海科创、富阳产投、源创基金联合投资，老股东中网投及中科神光持续追加。
富加镓业创立于2019年12月，公司总部位于浙江省杭州市富阳区。富加镓业是国家高新技术企业，公司的核心定位为全球领先的氧化镓（β-Ga₂O₃）超宽禁带半导体全链条材料供应商，坚持装备与工艺双轮驱动，打通“自研长晶装备-单晶晶体生长-衬底精密加工-MOCVD/MBE 薄膜外延”完整技术链条，不做下游功率器件芯片，专注上游材料端，面向功率半导体、微波射频、紫外光电探测领域提供衬底、外延片以及配套长晶装备整体解决方案。
创始人齐红基
富加镓业的创始人是齐红基，杭州光学精密机械研究所所长，中国光学学会光学材料专委会秘书长，同时兼任中国稀土学会、中国硅酸盐学会相关分会理事、委员。博士毕业于中国科学院上海光学精密机械研究所，研究方向为光学功能晶体材料。长期在中科院体系从事光学晶体、宽禁带半导体晶体科研工作，深耕晶体生长、薄膜材料方向多年，为中科院青年创新促进会优秀会员。
2019年，创立富加镓业，将中科院体系的晶体科研成果进行产业转化，把实验室技术迭代为工业化装备与可批量供货的衬底、外延产品，牵头国家标准编制，统筹国家级科研项目落地，推动国内氧化镓产业生态建设，同时运营杭州光机所平台，打通科研院所与企业之间技术转化通道。
三大类核心产品
富加镓业的产品矩阵分为单晶衬底、外延片、自研晶体生长装备三大类。其中，氧化镓单晶衬底，包含常规晶面以及国际首次实现批量供货的 (011) 面2英寸衬底，衬底经过精密切片、研磨、抛光处理，面向器件研发提供，已经实现稳定对外批量交付。
MOCVD、MBE氧化镓外延片，能够定制外延层厚度、掺杂浓度、均匀性参数，对外提供衬底外延一体化交付方案。氧化镓晶体生长装备是自研VB（布里奇曼法）、EFG（导模法）两套长晶装备，已经实现对外销售交付，配套自研“一键长晶”控制软件著作权，解决氧化镓长晶过程工艺控制难点。
五大核心技术
富加镓业拥有五大核心技术，其中，大尺寸氧化镓VB法单晶生长技术是公司攻克大尺寸晶体生长过程杂晶抑制、温度场精准控制、开裂抑制等关键工程难题，先后实现国内6英寸、全球8英寸、12英寸氧化镓单晶突破，解决氧化镓晶体随尺寸放大极易开裂的痛点。多晶面氧化镓衬底加工技术，实现 (011) 晶面氧化镓衬底稳定量产。MOCVD/MBE高质量同质外延技术，提升外延层迁移率、均匀性，降低缺陷密度，外延性能接近氧化镓材料理论上限，打通衬底到外延的工艺匹配，避免衬底与外延之间的晶格失配带来的缺陷问题。
自主可控长晶装备与智能长晶控制技术是自研布里奇曼、导模法整套长晶硬件，配套一键长晶智能控制软件，实现长晶过程温度、应力、气氛自动化闭环调控，实现装备国产化，装备既自用也对外销售，形成装备-工艺互相迭代的正向循环。衬底后处理精密加工技术包含切片、研磨、化学机械抛光、清洗整套工艺，实现氧化镓衬底低表面粗糙度、低应力加工。
潜在市场空间巨大
氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，整体产业处于产业化早期，全球尚未形成大规模商业化市场。目前市场机会主要分为两块：第一，科研市场，国内大量高校、科研院所、器件研发企业需要氧化镓衬底、外延样品用于器件研发，这是现阶段主要现实市场；第二，中长期工业市场，如果氧化镓功率器件在高压场景完成可靠性验证，实现规模化商用，衬底、外延市场将迎来快速增长。
作为中科院体系孵化的第四代半导体氧化镓材料硬科技企业，未来，富加镓业有望占据全球氧化镓上游材料的重要位置。
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