国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“晶圆减薄工艺方法”的专利，公开号CN122602792A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆减薄工艺方法，在进行晶圆减薄工艺时，在进行湿法刻蚀减薄工艺之前，先进行表面研磨平坦化工艺修复晶圆表面，再进行湿法刻蚀减薄工艺。本发明在湿法刻蚀减薄工艺之前，增加一步平坦化工艺，将晶圆表面由于前道研磨等工序造成的机械损伤通过研磨去除，去掉损伤层，修复晶圆表面形貌，恢复平坦化，再进行湿法刻蚀减薄工艺，改善晶圆表面由于凹坑承载药液导致的过渡刻蚀形成硅洞的缺陷，提高晶圆减薄工艺的稳定性以及器件的可靠性。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息253条，此外企业还拥有行政许可233个。

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作者：情报员