IT之家 8 月 19 日消息，韩媒 the bell 在其当地时间 8 月 13 日发布的文章中表示，根据业内人士的透露，三星电子目标 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 内存研发，2026 年 12 月进入量产转移阶段，2027H1 启动生产线建设，有望 2027 年底实现首批量产。

打开网易新闻 查看精彩图片

SK 海力士此前在业界率先完成 1c nm 节点 DRAM 开发，三星电子试图在 1d nm 阶段重夺“技术领先”桂冠。另一方面，三星电子已定下为 HBM5E 内存导入 1d nm DRAM Die 的目标，提早完成底层技术构建可为后续 HBM 的推出打下坚实基础。

与此同时，SK 海力士的 1d nm DRAM 目前处于热测试良率提升阶段，预计 2026 年 12 月完成研发。

不过，三星电子和 SK 海力士的 1d nm DRAM 技术目前仍处于较早期阶段，整体产品完成度离量产目标仍有很大的待优化空间。