国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN122603586A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明的半导体装置包括：芯片，其具有形成有元件区域的第一主面；多个第一导电结构，其在所述元件区域中在第一方向上以条纹状延伸，由第一导电材料形成；所述第一导电结构与所述芯片之间的基底绝缘膜；第一导电型的第一杂质区域，其形成于所述芯片；第二导电型的第二杂质区域，其形成于所述第一杂质区域的所述第一主面侧的表层部；以及高浓度区域，其形成于所述第一主面的表层部，且第二导电型的杂质浓度比所述第二杂质区域高，所述基底绝缘膜在覆盖所述高浓度区域的部分被选择性地加厚。

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作者：情报员