据最新资讯，台积电下一代A16（1.6纳米）埃米级制程计划于2026年第四季度进入量产阶段，这一平台将搭载台积电自研的SPR超级电源轨背面供电技术，被业界视为先进制程竞争中的又一次关键突破。

随着芯片制程不断缩小，传统将供电与信号布线都放在芯片正面的设计方式，正面临越来越突出的布线拥堵和电压降问题，尤其在AI与高性能计算芯片上，供电效率与布线空间已成为制约性能提升的重要瓶颈。A16的核心变化在于将供电路径转移至芯片背面，从而把前端布线资源更多留给信号互连与逻辑优化，缓解正面布线压力。

与英特尔PowerVia、三星SF2等背面供电方案相比，台积电A16的一个显著特点是对既有设计体系的兼容性更强。外界普遍认为，其方案几乎保留了N2P的栅极密度、单元结构和设计兼容性，因此客户在导入新工艺时所需的设计改造成本更低，也更利于先进制程快速落地与规模化应用。

性能与能效方面，A16相较N2P预计可带来8%至10%的速度提升，或在相同性能下实现15%至20%的功耗下降，同时芯片密度还能提升8%至10%。这一组合优势使其特别适合对算力、能效和面积极为敏感的AI加速器与HPC芯片，也意味着台积电在先进制程竞赛中继续维持领先。

业内分析，若A16如期量产，将不仅是一次制程节点迭代，更是台积电在背面供电、工艺兼容性与设计生态协同上的综合展示。对于正加速扩张的人工智能芯片市场而言，A16有望成为下一轮高端算力芯片争夺战中的重要平台。

打开网易新闻 查看精彩图片