IT时代网8月23日消息,据富加镓业消息,近日该公司采用自主垂直布里奇曼法(VB 法)成功生长出厚度超 70mm 的 6 英寸氧化镓单晶晶锭。经平湖实验室 HRXRD 检测,结晶质量优异;同时经中国计量科学研究院检测,其电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求。
晶锭厚度是衡量单晶生长技术成熟度与产业化程度的关键指标,更厚的晶锭意味着单根晶体可切割出更多衬底片,直接降低单片成本。氧化镓属于宽禁带半导体材料体系,相关进展对衬底国产化具有参考意义。
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IT时代网8月23日消息,据富加镓业消息,近日该公司采用自主垂直布里奇曼法(VB 法)成功生长出厚度超 70mm 的 6 英寸氧化镓单晶晶锭。经平湖实验室 HRXRD 检测,结晶质量优异;同时经中国计量科学研究院检测,其电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求。
晶锭厚度是衡量单晶生长技术成熟度与产业化程度的关键指标,更厚的晶锭意味着单根晶体可切割出更多衬底片,直接降低单片成本。氧化镓属于宽禁带半导体材料体系,相关进展对衬底国产化具有参考意义。
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