来源：新浪证券-红岸工作室

8月25日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“伽马电阻的阻值波动的监控方法”的专利，授权公告号CN122028712B，授权公告日为2026年8月21日。申请公布号为CN122028712A，申请号为CN202610475623.7，申请公布日期为2026年8月21日，申请日期为2026年4月13日，发明人李健、邵迎亚、汪雪春，专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司，专利代理师傅梦婷，分类号H10P74/20、H10P74/00、H10P30/00、G01R19/00。

专利摘要显示，本申请提供了一种伽马电阻的阻值波动的监控方法，属于半导体技术领域，监控方法包括：将产品晶圆投入离子注入机台执行离子注入，以预设收值频率连续获取离子注入机台的离子源组件在预设时间窗口内的多个源偏置电压，并获得预设时间窗口内的多个源偏置电压的平均移动极差；判断平均移动极差是否小于或等于预设值，若是，判定伽马电阻的阻值波动合格，对产品晶圆继续执行离子注入；若否，判定伽马电阻的阻值波动不合格，并停机。本申请可在离子注入时准确且高效地监控伽马电阻的阻值波动。

作为国内领先的12英寸晶圆代工企业，晶合集成深耕特色工艺晶圆制造赛道，具备全产业链协同竞争优势。公司全称为晶合集成，2015年5月19日成立，2023年5月5日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均涉及安徽省合肥市。

晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工，聚焦先进工艺研发应用，可向客户提供覆盖多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，同时布局MCU概念、汽车芯片、集成电路三大热门概念板块。

2026年上半年，晶合集成实现营业收入59.57亿元，在行业3家可比企业中排名第2，略低于行业首位华润微的61.28亿元，高于55.49亿元的行业平均数，与59.57亿元的行业中位数持平；同期实现净利润2.22亿元，同样位列行业3家可比企业第2，低于华润微的6.67亿元，低于3.1亿元的行业平均数，与2.22亿元的行业中位数持平。公司营收结构中，集成电路业务贡献收入57.66亿元，占比96.80%，其余补充类业务收入1.91亿元，占比3.20%。

指标类别具体指标晶合集成当期数值行业排名/总样本数行业首位数值行业平均数行业中位数经营业绩2026年上半年营业收入59.57亿元2/361.28亿元55.49亿元59.57亿元经营业绩2026年上半年净利润2.22亿元2/36.67亿元3.1亿元2.22亿元主营业务构成集成电路业务收入占比96.80%主营业务构成其他补充业务收入占比3.20%

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202611100269.62026-07-23CN122616744A2026-08-21崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕2半导体器件的形成方法和半导体器件发明专利公布CN202611088837.52026-07-22CN122622329A2026-08-21王淑娜、宋富冉、刘乃硕3半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202611091082.42026-07-22CN122622285A2026-08-21胡一凡4半导体器件结构及其制备方法发明专利公布CN202611090819.02026-07-22CN122622310A2026-08-21刘洋、李琦琦、祝君龙5埋入式栅极结构及制备方法发明专利公布CN202611065450.82026-07-17CN122602562A2026-08-18江珂、林祐丞、杨智强6离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法发明专利公布CN202611022452.92026-07-10CN122535230A2026-08-07夏陈红、程挚7光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法发明专利公布CN202611016093.62026-07-09CN122525844A2026-08-07赵广、罗招龙8半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质发明专利公布CN202611016172.72026-07-09CN122596837A2026-08-18卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌9半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611009342.92026-07-08CN122510972A2026-08-04毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定10半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000593.02026-07-07CN122514031A2026-08-04刘苏涛11一种含有间隔交叉空气间隙的半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001373.X2026-07-07CN122514244A2026-08-04崔立加、余义祥、王梦晴、李敏新12图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001464.32026-07-07CN122514061A2026-08-04康绍磊、汪凯伦13对准标记的异常检测方法及提高光刻工艺套准精度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611002015.02026-07-07CN122506782A2026-08-04陈大业、李海峰、黄玉14一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610999508.X2026-07-07CN122514030A2026-08-04武莹莹15面向设计-制造的多智能体协同方法、系统及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610992342.92026-07-06CN122509026A2026-08-04陈健、秦绪威、刘哲儒16晶圆测试路径的规划方法、装置、探针台、设备及介质发明专利公布CN202610986471.72026-07-03CN122497321A2026-07-31王朋、杨锃、李飞17一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华18测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健19一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙20半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋21一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛22一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕23半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正24半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕25一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒26一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强27测试结构、测试方法及测试系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610925895.22026-06-25CN122487862A2026-07-31王朋、杨锃、李飞28曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞29晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲30光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康31半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明32一种半导体结构的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰33一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳34半导体器件及其制备方法、芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃35一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛36一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成37一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙38半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕39半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰40文本识别方法、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞41一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利实质审查的生效、公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿42一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康43晶圆的量测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智44一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮45半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥46用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩47缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕48一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波49半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪50干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强